• 基板設計・実装・組立サービスのご提案 製品画像

    基板設計・実装・組立サービスのご提案

    PR設計から実装・検査・出荷まで柔軟に対応します。 さまざまなメーカーの…

    「ヨーホー電子では、設計・基板実装・組立を通して、 お客様と共に新たな価値を創造します」 当社独自の基板実装ノウハウと確かな設計技術を基に、部品調達、ディスクリート実装、表面実装、製品組立、各種検査などさまざまな作業のご要望に対応します。 設計では、実装ノウハウを生かした作りやすさ重視の設計に対応しています。 実装では、小型高密度基板、大型制御基板、電源系基板など、さまざまなタイプの基...

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    メーカー・取り扱い企業: ヨーホー電子株式会社

  • 解説資料『高周波焼入はやり方次第で変わる(材質編)』 製品画像

    解説資料『高周波焼入はやり方次第で変わる(材質編)』

    PR鋼材別の特徴、合金元素の特性、前処理方法などの知識を明快に解説。困りご…

    高周波焼入の設備設計・製作や試作・受託加工などを手がける当社では、 資料『高周波焼入はやり方次第で変わる(材質編)』を進呈中です。 高周波焼入が可能な材料例や前処理方法といった基礎知識をはじめ、 各種合金元素の添加量が増した際の特性変化や、焼入性倍数について紹介。 他にも、焼入品質の低下や不具合発生につながる 現象に関する情報についても簡潔にまとめています。 【掲載内容】 ...

    メーカー・取り扱い企業: 富士電子工業株式会社

  • 半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

    半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

    多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

    <主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • CADによるGaN LEDの設計ツール 製品画像

    CADによるGaN LEDの設計ツール

    コンピュータ支援設計(CAD)によるGaN材料を用いたLEDの設計ツー…

    クロスライトのCAD製品のデバイスシミュレーターでLEDデバイスを例に2D/3Dのシミュレーションを紹介。多重量子井戸(MQW)モデル、キャリア輸送モデル、光線追跡などの物理モデルや機能を用いて計算。分極の有無によるバンド、IQEドループ(IQE droop)をシミュレーション、分析。超格子(Super Lattice)のデザインについて紹介。InGaN LEDの典型的な2DシミュレーションやIT...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ 製品画像

    Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ

    ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール

    クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quan...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ 製品画像

    マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ

    InP基板上に多重量子井戸をもつマッハツェンダー型光変調器の物理モデル…

    マッハツェンダー型光変調器のシミュレーションには微視的な量子井戸モデルから導波路とシステムに関連する回路モデルまで必要。クロスライトはマッハツェンダー型光変調器の設計に対して統合された最先端のソリューションを提供する。資料では、さまざまな物理的数理的モデルを紹介し、実際のモデリングの例を解説。...<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • パワー半導体のシミュレータ 製品画像

    パワー半導体のシミュレータ

    半導体デバイス設計とクロスライトソフトウェアのTCADを利用例

    クロスライトの各製品の詳細を事例をもとに紹介。クロスライトのAuto TCADを解説。...<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • クロスライトのLEDシミュレータ 製品画像

    クロスライトのLEDシミュレータ

    青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解…

    様々な物理モデル。(ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • VCSELシミュレータ 製品画像

    VCSELシミュレータ

    垂直共振器面発光レーザの解析ツール

    PICS3D内臓のVCSELモジュールにおける自己無撞着モデルの概要。基本的なVCSELモデリングを解説。また、次のような特徴を紹介。自動VCSEL共振器デザインモジュール(VCSEL cavity design module)、光ポンプVCSEL(optically pumped VCSEL)、多横モードの計算(multi-lateral models calculation)、EIM(effe...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 有機LEDのシミュレータ 製品画像

    有機LEDのシミュレータ

    様々なタイプの有機LEDを例に計算のための物理モデルや解析

    クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mod...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子カスケードレーザのシミュレータ 製品画像

    量子カスケードレーザのシミュレータ

    量子カスケードレーザの解析ツール

    サブバンド構造計算(subband structure calculation)により、発光波長(emission wavelength)やミニバンドアライメント(miniband alignment)などのQCL(quantum cascade laser)の基本的なデザインが可能。微視的なレート方程式モデル(microscopic rate equation model)は、ローカル電流(lo...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ 製品画像

    ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ

    GaN基板のナノワイヤまたはナノチューブデバイスの数値解析ツール

    デバイスシミュレーター(APSYS)で、GaN基板のナノワイヤ(nanowire)やナノチューブ(nanotube)構造のLEDを効率よく解析。デバイスのモデリングとシミュレーション例を紹介。試験的に15,000メッシュポイント(mesh points)の量子井戸(quantum well)を1個有する単体のナノチューブ(single tube)を計算。典型的なI-V特性計算に、OS:Window...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ 製品画像

    GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ

    プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D…

    プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子ドットデバイスの3Dシミュレータ 製品画像

    量子ドットデバイスの3Dシミュレータ

    量子ドットデバイスの3次元解析ツール

    量子ドット(quantum dots)デバイスのモデリングは、微視的なモデルを構築・解析しその結果を巨視的なモデルに取りこむ手順を経る。微視モデルは様々な矩形や円柱状の3次元量子ドットが可能。ひずみ効果(strain effect)も考慮。GaN基板のウルツ鉱構造(wurtzite structure)も亜鉛鉱型結晶構造(zincblende structure)と同様に適用可能。巨視的なモデルに...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション 製品画像

    シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション

    シリコン基板太陽電池のモデリングと解析ツール

    クロスライトの柔軟な材料データベースはSiやpoly Siの移動度(mobility)やライフタイム(lifetime)を不純物濃度(doping)や粒子サイズ(grain size)の関数として容易に作り込みが可能。プロセスシミュレーションと連携したデイ倍すシミュレーションが可能。Si RCC(rear-contacted cells)のシミュレーション結果は実験結果と一致。クロスライトの2D/...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ 製品画像

    ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ

    量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析ツール

    LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ 製品画像

    バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ

    ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール

    量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quan...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ 製品画像

    有機金属気相成長法による結晶成長シミュレータ

    化合物半導体の有機金属気相成長法の数値シミュレーション解析ツール

    有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOM(プロコム)の事例を紹介。PROCOMは、流体力学(fluid dynamics)や質量(mass transport)および熱輸送(heat transport)、さらに非平衡ガス-ガス(non-equilibrium gas-gas)または非平衡ガス-表面(non-equilibrium gas-surface)化学反応(ch...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ 製品画像

    アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ

    アバランシェフォトダイオードの解析ツール

    APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ 製品画像

    MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ

    MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール

    STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0....

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 多接合太陽電池のシミュレータ 製品画像

    多接合太陽電池のシミュレータ

    多接合太陽電池のデバイス解析ツール

    化合物半導体の単接合(single-junction)と多接合(multi-junction)太陽電池の2D/3Dシミュレーションの実施例を紹介。非局在(Non Non-local)トンネル接合モデル(tunnel tunnel-junction model)を実験によって較正。太陽光スペクトラム(solar spectrum)をバイアスに用いて外部量子効率(external quantum ef...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション 製品画像

    量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション

    量子井戸(QW)と量子ドット(QD)構造の太陽電池の解析事例

    ミニバンドモデル(miniband model)をドリフトディフュージョン(drift-diffusion)理論の枠組みに取り入れることで量子井戸(Quantum Well)/量子ドット(Quantum Dot)太陽電池の有用性の実証例を紹介。ミニバンドの異なるエネルギーによって、コールドキャリア(cold carrier)とホットキャリア(hot carrier)ミニバンドが計算可能。2D量子井...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ 製品画像

    レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ

    レーザ照射コンタクト太陽電池のデバイス解析ツール

    クロスライトのプロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレータAPSYSを併用したレーザ照射コンタクト(Laser fired contact)のプロセスを例示。最終的にLFC(Laser fired contact)を構造に持つRCC(rear-contacted cells)デバイスをAPSYSに取込み、太陽電池性能のモデリングが成功。LFCを持つRCCデバイスの妥当な性能を示した。...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング 製品画像

    高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング

    高耐圧AlGaN/GaN HEMTのデバイス構造に関するデバイス解析ツ…

    マグネシウム層構造(magnesium layer structure)を持つ高いブレークダウン電圧(breakdown voltage)のAlGaN/GaN HEMTをシミュレーション。マグネシウム(Mg)層の長さおよびそのドーピング密度を最適化することで900Vのブレークダウン電圧を達成。(具体的にマグネシウム層の長さ、ドーピング密度と移動領域(drift region length)の長さを...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 結晶方位の影響を解析するシミュレータ 製品画像

    結晶方位の影響を解析するシミュレータ

    GaN基板デバイスの光特性に対する結晶方位の影響を解析するツール

    結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 電界吸収変調器のシミュレータ 製品画像

    電界吸収変調器のシミュレータ

    電界吸収変調器の解析ツール

    フランツ・ケルディッシュ効果(Franz-Keldysh effect)を使って導波路型変調器(Waveguide modulator)をAPSYSによってシミュレート。多体(manybody)計算から得られた双極子行列要素で向上、実験結果に極めて一致。実験結果を再現するには自由電子理論(Free-carrier theory)だけでは不十分。電場(electric field)、吸収(absor...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ 製品画像

    ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ

    ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール

    ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ 製品画像

    InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ

    InGaN/GaN量子ドットLEDのデバイス解析ツール

    LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ 製品画像

    高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ

    高輝度発光ダイオード(SLED)の3次元モデリングツール

    グリーン関数(Green's function)理論に基づく理論モデルを解説。テストデバイスを用いて解析。(横モード(lateral mode)のプロファイル 利得(gain) バンド図(band diagram) 異なる注入におけるキャリア分布 空間的ホールバーニング(spatial hole burning) I-V特性(I-V curve) L-I(L-I curve) 自然発光の強度(am...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 高出力SCOWLレーザのシミュレータ 製品画像

    高出力SCOWLレーザのシミュレータ

    スラブ結合光導波路レーザの解析ツール

    クラマース・クローニヒの方程式を用いた屈折率変化のメカニズムの温度依存や自由電子/プラズマモデルが妥当な結果を与える。LASTIPはLASTIPはSCOWLタイプの高出力レーザーにおいて横モードの振舞いの正確な見積を提供する。長い共振器のようなさらに踏込んだ解析には、軸方向空間ホールバーニング(longitudinal spatial hole burning)と端面光ダメージ効果(facet o...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ 製品画像

    ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ

    GaN HEMTのデバイス解析ツール

    APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状にお...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ 製品画像

    タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ

    タイプII型量子井戸構造を持つ光受光素子の解析ツール

    適用可能なモデルと機能を紹介。(タイプ-II型量子井戸(Type-II MQW)の組を150対インプットコマンドでくくるテクニック。複合多重量子井戸(Complex MQW)光利得(optical gain)モデルからタイプ-II型量子井戸の光利得/光吸収スペクトルを求める。タイプ-II型量子井戸のバンドアライメント(band alignments)によって吸収スペクトルをデザイン。量子力学に基づ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

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