高精度 電子・車載分野フィルムの抜き加工【クリーンルームあり】

PR5G、EV化などに関連する電子分野や車載分野を中心にした【高精度 抜き…

弊社では「5G」「EV化」などに関連する電子分野や車載分野への対応から、「脱プラ」「脱炭素」に関連して要求される各種素材、またその他にも医療分野や雑貨・日用品分野など様々な業界に対応する取り組みを実施。 クリーンルームを完備しており、 電子分野で求められる高精度な抜き加工やスリット加工の実績が多数あります。 ロール材でもシート材でも加工が可能で、特殊加工も承ります。 また、汎用品・特殊...

メーカー・取り扱い企業： 三愛株式会社

金属溶接／接合でお困りではありませんか？※溶接手法の説明資料進呈

PR電子ビーム溶接、TIG溶接・真空ろう付け・トーチろう付け・マイクロTI…

電子ビーム溶接、ろう付お任せください！ 電子部品などの精密溶接のほか、通常溶接のご依頼も大歓迎です！ 第2工場稼働により生産能力増強しました。少量～大量まで、小物～大物まで承ります！ ヘリウムリーク検査、マイクロスコープで高信頼性溶接に対応しています。 【こんなお困りごとはありませんか？】 ■金属溶接の依頼が初めてで、適した加工方法が分からない… ■精密でなく、通常の溶接を依頼したい… ★そ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社太陽イービーテック

［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【総合カタログプレゼント】MST分析手法カタログ

研究開発者、品質管理者必見！MST取り扱い手法の原理から、手法の選択方…

各分析手法の詳細についてご紹介しています。 お手元に置いて、分析サービスのご検討にぜひご活用ください。 ※【PDFダウンロード】よりサンプル版をご覧いただけます。 ★ご希望の皆様全員に、電子カタログ[完全版]を無料でプレゼント★ 【お問い合わせ】より、「カタログ送付希望」にチェックを入れてお申し込みください。 ※同業の分析会社、及びその関連会社の方は、お申し込みをお断りする場合がご...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［TEM-EELS］電子エネルギー損失分光法

電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定…

EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。 TEMに付属している元素分析装置（EDX)と比較して、下記の特徴...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［EBIC］電子線誘起電流

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EBSD分析（電子後方散乱回折法）

容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能

EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。 電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。 EBSP：Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれます。 ・単一結晶粒の面方位...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［AES］オージェ電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類・存在量の評価

AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面（深さ数nm）の定性・定量...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［ED］電子回折法

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。 ・物質の結晶学的情報が得られます。 透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)、多結晶で...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［UPS］紫外光電子分光法

試料表面の組成の定性・定量や仕事関数評価に

UPSは、紫外光照射により放出される電子の運動エネルギー分布を測定し、試料極表面（数nm程度以下）の価電子状態に関する知見を得る手法です。その一方で、高いエネルギー分解能を利用して各種金属材料の仕事関数評価にも用いられています。 X...

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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】電子回折の種類と特徴

TEM：透過電子顕微鏡法

透過電子顕微鏡での電子回折法は、試料への電子線の入射の仕方によって3つに分類されます。それぞれの特徴とデータ例を示します。評価対象物のサイズや分析目的に応じて、適切な手法を選択する必要があります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

ても、ご相談承ります。 『測定法』 ○質量分析法 SIMS　二次イオン質量分析法 TOF-SIMS　飛行時間型二次イオン質量分析法 ICP-MS　誘導結合プラズマ質量分析法 ほか ○光電子分光法 XPS　X線光電子分光法 UPS　紫外光電子分光法 ○電子顕微鏡観察・分析 AES　オージェ電子分光法 SEM　走査電子顕微鏡法 EBIC　電子線誘起電流法 ほか ○振動分光...

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[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽...

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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント

高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微…

TEM（透過電子顕微鏡法）は、薄片化した試料に電子を照射し、 試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 MSTでは、TEMの特徴や試料作製方法など基礎知識を掲載した『TEMの基礎...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XPS］X線光電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類、存在量、化学結合状態評価に有…

XPSは、Ｘ線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量・化学結合状態に関する知見を得る手法です。化学結合状態に関する知見が得られるため、別名ESCA : Electr...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

2018年4月2日、MSTは最新型の加工・分析装置を導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観...

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【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まず...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常加工サイズ：～20μm程度） ・SEM・SEM-STEM...

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蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際の過程の一つに発光（フォトルミネッセンス）があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるもので...

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絶対PL量子収率測定

絶対PL量子収率測定は、材料の発光効率を求める手法です。

物質に光（紫外・可視光）を照射すると、物質はそのエネルギーを吸収し発光することがあります（フォトルミネッセンス（PL)）。 光の吸収により、安定なエネルギー状態（基底状態）にあった分子内の電子は、一時的に高いエネルギー状態へと励起されます。様々な過程を経て一重項励起状態に存在する電子が安定な基底状態に戻るとき、差分のエネルギーを光として放出し、これを蛍光と呼びます。さらに三重項励起状態に...

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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似...

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【分析事例】Sn酸化物に対する還元処理の検証

～XPSと計算シミュレーションの比較から～ 価電子帯スペクトルからの…

XPSは内殻準位からの光電子スペクトルより物質の組成・結合状態を評価する手法です。一方でフェルミ準位近傍には最外殻電子の状態を反映した価電子帯スペクトルが現れます。本資料では、Sn酸化物に対して第一原理計算によって算出した状態...

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ご希望者全員プレゼント！表面分析の基礎と受託分析事例

〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…

表面分析の使い分け 　　　・XPS分析でできること 　　　・TOF-SIMS分析でできること 　　　・XPS,TOF-SIMS分析でできること 　■各手法の詳細情報 　　　・XPS　X線光電子分光法 　　　・TOF-SIMS　飛行時間型二次イオン質量分析法 　■分析事例 　　　・XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 　　　・Cu表面の酸化状態の定量 　　　・XPS多点測定によ...

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［IP法］Arイオン研磨加工

IP法は、研磨法の一種でイオンビームを用いて加工する方法です

カードエッジコネクタについてIP加工後、反射電子像観察を行いました。 IP法と機械研磨法で作製した断面の反射電子像観察を行いました。 IP法ではCu結晶粒が明瞭に観察され、研磨キズもありません。...

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『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

T法 　・in situ X線CT測定 ■分析事例 　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析 　・発泡ウレタン内部の空隙率評価 　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定 　・電子デバイス内特異箇所の複合解析 　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウン...

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角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルク...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】粘着シートによる電子部品の汚染評価

有機汚染の定性・定量・分布を複数手法の組み合わせで評価

半導体デバイスの製造工程では、ダイシング用テープなど様々な粘着シートが使用されます。粘着シートは異物・汚染の原因となることがあります。そこで、本事例ではTOF-SIMS・SWA-GC/MSを用いて複合 的に評価した結果をご紹介します。TOF-SIMSでは、粘着シート各材料の定性を行うことで、異物・汚染がどの粘着シートに起因するのか、また粘着シートのどの層に起因するのか同定が可能です。またSWA-...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Arイオンミリング加工

機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

Arイオンミリング法とは、機械研磨を行った後、低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ50nm以下の透過電子顕微鏡用の薄膜試料を作製する加工法です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】量子化学計算によるアゾベンゼン類の電気化学特性評価

電池などに用いられる有機化合物の酸化還元特性・電子状態を予測・評価

は、アルカリイオン電池やレドックスフロー電池において現在主力の金属活物質を代替する低環境負荷の次世代有機活物質として注目されています。 電池性能の評価には、実験に加えシミュレーションを用いた物質の電子構造や酸化還元特性の検討が有用です。本資料では、量子化学計算によりアゾベンゼンとそのカルボン酸誘導体塩の還元電位、分子軌道計算を行った事例を紹介します。このようにシミュレーションで物質の電気化学特性...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

二次電池正極導電助剤の分散状態評価

Raman分光法によるカーボンの結晶性評価

リチウムイオン二次電池の特性向上において電子伝導度は重要な要素であり、導電助剤には高電子伝導度や高分散性が求められています。導電助剤の主流となっているカーボンは、大きく分けて結晶性・非結晶性の2種類あり、単剤もしくは合材として使用されています...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】セラミックス表面における洗浄成分の分布評価

洗浄成分の分布の可視化や深さ方向の分布の評価が可能

セラミックスは日用品から電子部品まで幅広く利用されている無機化合物材料です。その表面状態は日用品や電子部品などの材料の性質・性能に大きく影響しています。そのため、セラミックスの機能を判断するうえで、表面状態を適切に評価すること...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

ています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流（EBIC）を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面のEBSDを測定することにより、起電流の分布と結晶粒との対応をとりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜太陽電池特定結晶粒の評価

任意断面のEBIC測定で特徴があった箇所の直交断面観察

関連性についての知見が得られますが、情報の深さが異なります。EBIC分布測定で電気的性質が特徴的であった箇所について、直交断面を作製し、奥行き方向のSTEM像観察を行いました。また、各結晶粒について電子回折を測定しました。これにより、電気的性質と結晶粒・結晶粒界の関係がより一層、明らかになりました。STEM観察および電子回折測定を行うことにより、特定箇所の結晶粒について局所的な情報を得ることが可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化チタンアナターゼ型とルチル型の判別

TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です

電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti, Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一致しています（図1, 2）。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XAFS］X線吸収微細構造

XAFSは、物質にX線を照射することで得られる吸収スペクトルを解析する…

とEXAFSを合わせた領域をXAFS（=X-ray Absorption Fine Structure）と呼びます。 XANESとEXAFSは発生起源がそれぞれ異なります。 XANESは内殻電子の非占有準位及び準連続準位への励起に起因し、EXAFSはX線照射によって放出される光電子波と隣接原子による散乱光電子波の干渉に起因します。そのためXAFS解析を行うことで、物質中の着目元素の電子状態...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［Slice&View］三次元SEM観察法

FIBでの断面出し加工とSEMによる観察を細かく繰り返し、取得した像を…

、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(Scanning Ion Microscope)像についても同様にSlice & Viewが可能です。 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、走査イオンSIM(Scanning Ion Microscope)の観察が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SIM］走査イオン顕微鏡法

高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能

固体試料にイオンビームを照射すると二次電子が発生します。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じます。この像を走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope： SIM）像といいます。 電子線照射によってもこ...

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［PL］フォトルミネッセンス法

PL：PhotoLuminescence

フォトルミネッセンス法とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を　観測する方法です。得られる発光スペクトルから、様々な情報を得ることが可能です。 ・バンドギャップ約3.5eVまでのサンプルを励起することが可能 ・マッピング...

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ウルトラミクロトーム加工

ダイヤモンドナイフを用いてバルク試料を切削し、厚さ100nm以下の透過…

ウルトラミクロトーム加工とは、ダイヤモンドナイフを用いてバルク試料を切削し、厚さ100nm以下の透過電子顕微鏡用の超薄切片を作製する加工法です。イオンビームを用いた加工と異なり、大気中にて広範囲の切片を作製することができます。 室温では切削が困難な生体材料や柔らかい高分子材料も、凍結固定することで超...

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【分析事例】XPS・AESによる深さ方向分析の比較

XPS：X線光電子分光法　AES：オージェ電子分光法

XPSとAESは表面敏感な分析手法でありサンプル表面の評価に広く用いられますが、イオンエッチングを併用することで深さ方向の分析が可能となります。 深さ方向分析を行うにあたり、測定したい領域やサンプルの材質に応じてXPSとAESを適切に使い分けることが、目的に沿った分析を行う上で重要です。 XPSとAESの深さ方向分析の特徴について、SUS不動態膜の分析を例として比較します。...詳しいデータは...

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【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。...

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量子化学計算による色素分子UV-Visスペクトルシミュレーション

UV-Visスペクトルシミュレーションにより分子の電子的性質が調べられ…

ピグメントレッド254(p-Cl DPP)は鮮明な赤色を呈するDPP(ジケトピロロピロール)顔料の一種です。DPP顔料は優れた耐候性を有する赤色顔料として用いられ、さらに大量生産しやすく低コストのため有機EL材料としての活用も期待されています。本資料では溶液中のピグメントレッド254を対象に量子化学計算に基づくUV-Visスペクトルシミュレーションを実施した事例を紹介します。シミュレーション結果を...

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【クライオSEM分析】液体中微粒子の分散状態を評価

急冷凍＋SEM観察により、粒子が分散している様子を画像で確認！ ★第…

液体に分散させて用いる微粒子の粒径・構造を評価する際、液体を乾燥させて粉体として微粒子を取り出し、電子顕微鏡を用いての測定が一般によく行われています。 しかしながら、乾燥による分散状態の変化や粒子の変形が起こるため、どのように分散しているのかを調べるには不向きな測定法です。 MSTでは、液体...

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量子化学計算による有機分子のRamanスペクトルシミュレーション

振動スペクトルシミュレーションによって分子構造の情報が得られます

よってRamanスペクトルシミュレーションを行った事例を紹介します。今回のようなシミュレーション結果を実測データと比較することで構造情報が得られ、構造異性体の識別も可能です。また、その構造の安定性や電子状態も議論することができます。...

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［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）

EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…

EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS： Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。 ...

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【分析事例】AI技術を用いたCT画像のアーチファクト低減

AI技術でCT画像のメタルアーチファクトを低減し画像解析精度を向上！

にCT画像再構成の最適化を行った事例をご紹介します。 本技術によりアーチファクトを低減することができ、より鮮明な内部構造評価が可能です。 測定法：X線CT、計算科学・データ解析 製品分野：電子部品、製造装置・部品、LSI・メモリ、日用品 分析目的：形状評価、構造評価 【特長】 ■メタルアーチファクトによって遮られた構造を鮮明に観察可能 ■樹脂と金属の両方をCT観察する場合に有...

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【分析事例】X線CT・クライオSEMによる化粧品の3D観察

乳化粒子や無機粉体の形状確認が可能！リキッドファンデーションの塗膜をマ…

非接触で巨視的な形態を確認でき、クライオSEMでは さらに微視的な構造を観察することができます。 【特長】 ■リキッドファンデーション塗膜の内部構造を 　巨視的な形態観察で評価可能 ■電子顕微鏡による詳細構造の観察では、 　乳化粒子や無機粉体の形状確認が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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【分析事例】表面分析による品質管理

表面の付着成分(ポリジメチルシロキサンなど)をTOF-SIMSで評価で…

分の変化などです。本資料では、付着成分として代表的なポリジメチルシロキサン（PDMS）について、保管環境が異なるSiウェハ表面の比較を行った例を紹介します。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：電子部品・製造装置・部品・その他（エレクトロニクス全般） 分析目的：表面分析・化学結合状態評価・故障解析・不良解析・その他（汚染評価、品質管理） 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせく...

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【分析事例】化学修飾XPSによる水酸基の定量

高分子フィルムの水酸基評価

的に反応させた後に、XPSにて定量することが可能です。PVA中のアルコール基を無水トリフルオロ酢酸（TFAA）によって化学修飾して評価した事例を紹介します。 測定法：XPS・化学修飾 製品分野：電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

した。TOF-SIMSは通常500μm角までの測定視野となりますが、ステージを動かしながら測定することで、広域の分布評価を行えます。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：デバイス、ディスプレイ、電子部品、製造装置 分析目的：定性、イメージング、組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】光ファイバーのコアとクラッドの定性評価

TOF-SIMSにより光ファイバーの材料の定性・分布評価が可能です

ます。本資料では、TOF-SIMSでプラスチック製光ファイバーの断面を分析することにより、コアおよびクラッドの材料を同定した事例を紹介します。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：光ファイバー・電子部品 分析目的：定性評価、有機物評価、組成分布評価 「詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂硬化剤の分析

2液性エポキシ樹脂の硬化剤成分の構造推定

要があります。本資料では、ポリメルカプタン硬化剤を硬化前の溶液状態で測定し、イオン化法(EI法とFI法)を併用することで構造推定した事例を紹介します。 測定法：GC/MS 製品分野：高分子材料・電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。 測定法：AFM 製品分野：パワーデバイス, 電子部品, 照明 分析目的：形状評価, 構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価

TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価

が可能であることがわかりました。 これらの分子イオンを用いて、金属Cu表面自然酸化膜の深さ方向の状態評価が可能となりました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：ディスプレイ・LSI・メモリ・電子部品 分析目的：化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】微小ビアのイメージ分析

微小領域の分布評価が可能です

れた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充填したサンプルを分析した事例を示します。正イオン分析結果より、CuおよびSiの分布が確認できました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成分布評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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