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15件 - メーカー・取り扱い企業
企業
152件 - カタログ
3728件
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単相変圧器/三相複巻変圧器・トランス/逆V/スコット※寸法表あり
PR【寸法表と参照図面】完全オーダーメイドの変圧器製造により”1KVA~2…
完全オーダーメイドで、お客様のご要望にお応えします。 社内一貫生産により、短納期・高品質を実現。 【特長】 ■完全オーダーメイド ⇒10KVA、20KVA、30KVA、50KVA、75KVA、100KVAもお任せください! ※もちろん、1KVA~200KVAまで対応可能! ■社内一貫生産により、短納期・高品質を実現 ※PDFにて寸法表と参照図面を記載しております。 ※詳しく...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社細田電機
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材料・アクセサリー スーパーコン社製 超電導線 NbTi超電導線
PR各研究機関や開発、製造分野に様々な種類の超伝導線材を供給しています。
スーパーコン社は長年にわたって超伝導線材を製造しております。各研究機関や開発、製造分野に様々な種類の超伝導線材を供給しております。 NbTi超伝導線材のマルチフィラメント 56S53・54S43・54S33・42S25・30S18は、DCマグネット用の一般的な線材。NMR用マグネットに多く使用されています。 モノフィラメントは、電流密度が非常に安定した線材です。 【ラインアップ】 ○NbTi 超...
メーカー・取り扱い企業: ブルーフォース株式会社
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SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリ…
性: 10兆回(10 13回) ・データ保持特性: 10年(+85℃) ・アクセスタイム アドレスアクセスタイム: 150ns(Min) /CEアクセスタイム: 75ns(Max) ・動作電流 動作電源電流: 20mA(Max) スタンバイ電流: 150uA(Max) スリープ電流: 20uA(Max) ・パッケージ: 44ピンTSOP...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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4MビットFeRAM『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、…
支援システム(ADAS)を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8~3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA(50MHz動作時)、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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不揮発性メモリ 8MビットReRAM 「MB85AS8MT」
業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適
Vから3.6Vのワイドレンジの電源電圧をもち、EEPROM互換 のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインターフェースの 不揮発性メモリで、大きな特長としては、5MHz動作時の平均読出し 電流が0.15mAと非常に小さくデータの読出し動作が頻繁な電池駆動の アプリケーションでは電池の消耗を最小限にできます。 ■主な仕様 ・製品名:MB85AS8MT ・メモリ容量(構成):8Mビッ...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発!高速動作と低…
5R8M2TA』は、1.8V~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、 動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性(書換え保証回数が多い) ■高速書...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモ…
本製品の動作電圧は1.8Vから3.6Vまでのワイドレンジのため、お客様製品に内蔵されているメモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらでも対応することができます。動作電流は、1MHz動作時が最大250μA、スタンバイ電流は最大50μAと非常に少なく、低消費電力化を実現しています。 パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOPのため、お客様製品の設計...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ
高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上!
F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク
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54Mバイト/秒のデータ書換えが可能!8MビットQuad SPI Fe…
1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数:108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性:10^13回/バイト ■データ保持特性:10年(+105℃) ■動作電流:18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
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押すだけの簡単操作で製造現場に好適!高速フラッシュ・プログラマ【ワンプ…
Nなどのカスタム対応も可能 ■外形寸法:102mm(W)×55mm(D)×31mm(H) ■ターゲットへの給電機能 ・3.3V または 5.0V(いずれも±5%) ・最大200mAまで給電可能 ・過電流保護回路付き ※詳しくはFP-40 製品ページ(https://www.computex.co.jp/products/fp_40/index.htm)をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社コンピューテックス
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PCBレイアウト設計を大幅に簡素化!省スペース・低消費電力で小型機器に…
『HYPERRAM』は、HYPERBUSインターフェスを使用したpSRAMです。 ハイブリットスリープモード時のスタンバイ電流は25μA typ.で低消費電力。 信号ピンは13本のみでPCBレイアウト設計を大幅に簡素化するシンプル基板設計です。 また、製品ニーズに合わせた豊富なパッケージオプションをご用意しております。 ...
メーカー・取り扱い企業: ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
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1.8V,128Mbのマルチ I/O NORフラッシュメモリ
最大133MHzの高速読み出し性能と、それぞれ0.3ms、標準60ms…
s ■イレーズ時間:60ms ■8ピンSOPワイドボディ(208mils)および8L WSON(6x5mm)パッケージで提供 ■1.65V~1.95Vの単一電源で動作可能 ■アクティブリード電流は最小5mA ■ディープ・パワーダウン・モードでは標準3μA ■産業用温度範囲: -40°C ~ +85°C ■100,000プログラム/イレーズサイクルによる信頼性の高い長期性能 ■4KB...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク
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ドライブレコーダーで使用する「SDカード」は、消耗品です。 車載専用…
70MB/s 「書き込み時」 最大 20MB/s (UHS-I モード時) UHSモード:UHS-I SDスピードクラス:クラス10 電源電圧:2.7~3.6V 消費電流:書き込み時(最大) 200mA 動作環境 動作温度範囲:-25℃~+85℃ 動作湿度範囲:25%~93%(結露なきこと) 保管温度範囲:-40℃~+85℃ 保管湿度範囲:25%~93%(結露な...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクティブ・アイ
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非常に優れた故障率、ソフト エラー率で幅広い環境でより信頼性の高い動作…
■エンベデッド ECC により、1 バイトあたり 1 ビットのエラー訂正 ■1.5Vのデータ保持電圧 ■典型的なデータ保持電流: ■1Mb AS6CE1016A で 1μA ■4Mb AS6CE4016B で 2μA ■2.7V~3.6Vの単一電源で動作 すべての入力と出力は完全に TTL 互換です。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク
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携帯電話・モバイル製品にご使用頂ける高出力フラッシュLEDドライバ
にご使用頂ける高出力(1.5A)のフラッシュLEDドライバを提供開始しました。 ■携帯電話・モバイル製品向け高出力フラッシュLEDドライバ ■入力電圧 : 2.7 ~ 5.5V、LED最大電流 1.5A(0.75A/チャンネル) ■トーチ機能対応 ■動作温度範囲 : -40度 ~ 85度 ■LEDオープン/ショート保護機能、過電圧保護 ■DFN-14パッケージ(2mm x ...
メーカー・取り扱い企業: 日本ISSI合同会社
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【業界初】ECC付高速SRAM IS61WV25616LEBLL
【業界初!】 高速・低消費・アドレスラッチ機能ECC付き4Mbit S…
【主な仕様】 ■エラー訂正ECC機能内蔵 ■電源電圧:2.4V-3.6V VDD ■超低スタンドバイ電流(ZZ#ピン制御) ■ALE#ピン制御によりアドレスおよびCSのラッチも可能 ■高速アクセスタイム:12ns、15ns ■パッケージ:48mBGA(6x8mm)、44TSOP2 ■自動車用途...
メーカー・取り扱い企業: 日本ISSI合同会社
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32Mbit高速SRAM:IS61/64WV204816BLL
【新製品】 高速・低電圧 32Mbit SRAM (256K x16…
【主な仕様】 ■供給電圧:2.4~3.6V ■動作電流(Max):Industrial 95mA、Automotive 140mA ■動作温度:Industrial -40~105℃、Automotive(A3) -40~+125℃ ■アクセスタイ...
メーカー・取り扱い企業: 日本ISSI合同会社
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