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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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【世界最小レベル25um圧着径バンプを実現】小型・高密度実装技術
Auスタッドバンプの極小径の限界に挑戦!世界最小レベル25um圧着径バ…
函館電子株式会社では、試作開発を通じてファインピッチ金スタッド バンプ加工の技術開発および金スタッドバンプを利用した実装構造の 開発を行っております。Auスタッドバンプの微細化、ファインピッチ化 の技術開発により世界最小レベルの25um圧着径バンプを実現します。 【バンプ径比較】 ■バンプ圧着径(バンプピッチ) ・88μm(90μm) ・61μm(70μm) ・51μm(...
メーカー・取り扱い企業: 函館電子株式会社
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