• ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー 製品画像

    ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー

    PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー

    当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット)  ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減  ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド

  • 繊維・樹脂をどちらもリサイクルできる熱硬化エポキシ樹脂システム  製品画像

    繊維・樹脂をどちらもリサイクルできる熱硬化エポキシ樹脂システム

    PREzCicloを使用したCFRPは、反応窯装置で専用分解剤のCleaV…

    繊維だけでなく、樹脂も再利用、再成形ができるためリサイクルが可能となり、循環型社会の実現に大きく寄与することが期待できます。 【特長】 ■100%回収できる樹脂 ■新設備を導入する必要がありません ■回収繊維の長さを維持できる ■回収繊維の強度を維持できる ■廃棄物がない ■循環型社会に大きく寄与できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 .....

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社GSIクレオス 機材ソリューション部

  • SiCコーティング装置(AF-IP装置) 製品画像

    SiCコーティング装置(AF-IP装置)

    緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたSiC(シリコンカーバイド)膜をPVD…

    新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったPVD法による」SiC成膜を実現。 400℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたSiC膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くCVDに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニン...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

  • イットリアコーティング装置(AF-IP装置) 製品画像

    イットリアコーティング装置(AF-IP装置)

    耐プラズマ性に優れたイットリア(Y2O3)膜をPVD法で形成。 新開…

    新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により緻密な酸化膜の厚膜(10μm)を低温で形成 半導体製造装置部品に対応した優れた耐プラズマ性をもつイットリア膜の成膜に対応。 イオンプレーティング法によるシンプルなプロセスで緻密な膜質を実現。 イットリア膜だけでなくSiCやTiC、CrNなどの各種反応膜を固体金属材料より形成可能。 独自開発イオンプレーティング法により表面処理の新たな用途...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

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