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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』
PR複雑する装置仕様を見える化!受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…
機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様(動き)の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 【資料概要】 ■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 ■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 ■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 ※ 本ページのPDFダウンロード...
メーカー・取り扱い企業: i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD(3次元CAD)開発元 -
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緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたSiC(シリコンカーバイド)膜をPVD…
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったPVD法による」SiC成膜を実現。 400℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたSiC膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くCVDに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニン...
メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店
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耐プラズマ性に優れたイットリア(Y2O3)膜をPVD法で形成。 新開…
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により緻密な酸化膜の厚膜(10μm)を低温で形成 半導体製造装置部品に対応した優れた耐プラズマ性をもつイットリア膜の成膜に対応。 イオンプレーティング法によるシンプルなプロセスで緻密な膜質を実現。 イットリア膜だけでなくSiCやTiC、CrNなどの各種反応膜を固体金属材料より形成可能。 独自開発イオンプレーティング法により表面処理の新たな用途...
メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店
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緻密な酸化膜厚膜(~10μm)を高速形成。新開発イオン化機構搭載 C…
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やSiC膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 絶縁膜(酸化膜・炭化膜)を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。 新たな表面機能を生み出す用途...
メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店
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