• リレーユニット『URY120-T1』 製品画像

    リレーユニット『URY120-T1』

    PR電力量計の負荷側を開閉制御する装置!遠隔制御が可能で屋外(雨線内)でも…

    『URY120-T1』は、当社の電子式電力量計120Aと接続することにより、 最大120Aの大電流を開閉制御することができるリレーユニットです。 自動検針システムと組み合わせることで遠隔制御ができ、普通耐候形 電力量計と同一構造のため、屋外(雨線内)でも使用可能。 電力量計の負荷側に接続し、"横配置"または"重ね配置"で設置します。 "重ね配置"の場合、オプションの「ブラケット」が必要となりま...

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    メーカー・取り扱い企業: 埼広エンジニヤリング株式会社

  • 管継手・配管部材の特殊加工【MIEテクノ】 製品画像

    管継手・配管部材の特殊加工【MIEテクノ】

    PR大口径パイプの切断、開先加工、大口径フランジの加工、バーリング加工等、…

    当社、MIEテクノは、管継手メーカーとして培った加工技術を、部材加工に応用。 フランジ、パイプ開先加工、バーリングをはじめとするバリエーション豊かな加工形状により、さまざまな配管システムに対応します。 また、高機能素材の部品加工にも対応。 長年かけて構築した加工技術でお客様の多彩なニーズにお応えし、 チタン、アルミ、ニッケル、スーパーステンレス等の鋼材を素材とした、精度の高い部材を提供...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社MIEテクノ

  • 大電流、高耐圧MOSFET 製品画像

    電流、高耐圧MOSFET

    高速スイッチングが可能!電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介!

    当社で取り扱う、「電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 ...

    メーカー・取り扱い企業: イサハヤ電子株式会社

  • 【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎ 製品画像

    【Bourns】高電圧・電流アプリケーションに最適なIGBT◎

    業界トップクラスの高パワー効率*低スイッチング損失

    BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 <特徴> ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 【ディスクリート】MOSFET ラインアップ一覧 製品画像

    【ディスクリート】MOSFET ラインアップ一覧

    モーター駆動などのスイッチング素子として利用!電流の高速のスイッチに…

    MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2S...

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    メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社

  • MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA) 製品画像

    MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性が...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB) 製品画像

    MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

    【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

    シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性が...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルムテクノロジー

  • パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』 製品画像

    パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

    TOLxファミリーに新たに加わったパッケージ!高い性能とシステム全体の…

    当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 製品画像

    パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

    ヒートシンクへの熱抵抗の最小化!プリント基板を介して伝わる熱量は5%以…

    を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on)...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

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    Xiner Semiconductor Technology

    Xinerは、2013年に設立されました。

    Xinerは、2013年に設立され、我々は深セン正源科技、深セン国有資産監督管理委員会、深セン人材革新基金、陳ベンチャーキャピタル、方光資本、厦門ファルコンと他の有名な機関から共同出資を受けています。IGBTチップ、IGBTドライバチップ、ハイパワーインテリジェントパワーモジュールの開発、応用、販売に力を...

    メーカー・取り扱い企業: リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

  • 【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失 製品画像

    【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

    【高電圧、電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

    BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...<特徴> ・FRD と一体形成され...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 【資料】しるとくレポNo.104#カスタム計測サービスのご紹介 製品画像

    【資料】しるとくレポNo.104#カスタム計測サービスのご紹介

    自動で測定・判定を行うため作業者の負担も抑えることができるとご好評です…

    とくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当社では、カスタム計測サービスとして、お客様のご要望にあわせた試験環境の 構築をご提案しています。半導体などの一般的な評価だけでなく、高感度測定や 電流、高電圧のような特殊測定にも幅広く対応しています。 今回は、そんなご要望の中から生まれた、トランジスタの選別検査システムを ご紹介。 「設備投資はできないけれど、カスタム対応の必要...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

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