＜資料DL可＞【FIB-SEM】めっき層内の異常個所発見方法セイコーフューチャークリエーション

FIB-SEM装置で表面からは分かりづらいめっき層内の異常個所を観察でき、Slice&View機能により異常の起点発見も可能です

FIB(Focused Ion Beam：集束イオンビーム)装置では自動で断面を連続で作製し、断面写真を取得することが可能です。この機能を用いて、表面からでは判別が難しい試料内部に存在する異常個所を特定することが可能です。

この事例では
「FIB装置の連続自動断面作製機能を用いて、めっき層内の表面からでは分からない異常個所の発見方法」
を紹介します。

詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

※なお、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。
具体的には以下のとおり
・配線の切断
・配線の接続
・特性評価用のテストパッドの作製
等を短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいています。
お気軽にご相談いただければ幸いです。

※その他資料の準備もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。

関連リンク - https://www.seiko-sfc.co.jp/analysis-service/case.…

基本情報＜資料DL可＞【FIB-SEM】めっき層内の異常個所発見方法

■FIBによるめっき層内の異常個所発見方法
　・目的：めっき層内の表面からでは分からない異常個所を発見する
　・手法：FIB装置の連続自動断面作製機能を用いる

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