• パムアペックスミキサ 製品画像

    パムアペックスミキサ

    PRリアクター・ドライヤー仕様!混合・反応・加熱・冷却・乾燥が1台で可能 …

    『パムアペックスミキサ』は、パッチ式の高速反応機としても応用が 可能な製品です。 高速かつ効率的な反応混合が可能。 当社独自のスキ型ショベル羽根により材料が浮遊拡散されることで、 反応物同士の接触回数が多くなること、効率的に熱交換がされることで 効率的な反応、高収率を実現可能にします。 【特長】 ■材料をムラなく反応混合させることが可能 ■槽内の温度勾配が少ない環境下で...

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    メーカー・取り扱い企業: 大平洋機工株式会社

  • 厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】 製品画像

    厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

    PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

    重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

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    メーカー・取り扱い企業: 共栄電資株式会社

  • パワーデバイスの故障解析 製品画像

    パワーデバイスの故障解析

    ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

    V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測れる不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR 製品画像

    NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

    オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

    電源、コンバーター、パワーモーター制御およびブリッジ回路の低電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計れています。...

    メーカー・取り扱い企業: Transfer Multisort Elektronik株式会社

  • SWIRエミッタ(短波長赤外線エミッタ) 製品画像

    SWIRエミッタ(短波長赤外線エミッタ)

    パッケージの種類も豊富!1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

    能 ■シリコンウェハの検査など半導体の分野においても需要が高まっている ■製品検査、セキュリティ、医療・ヘルスケアなど様々な用途で使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下い。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社理経

  • パワートランジスタ『CGD65B240SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

    H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバ…

    ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上せ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽に...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    ード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上せ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

    事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

    GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上せ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    ワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けれているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaN...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130S2』

    高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ!平面、熱性能の向…

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けれているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B200S2』

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

    200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けれているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5Aeモ...

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    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • BAP64-04 PINダイオード | セカンドソース 製品画像

    BAP64-04 PINダイオード | セカンドソース

    BAP64-04、BAP64-05、BAP64-06 主要メーカーのセ…

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFET、ダイオードなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:BAP64-04、BAP64-05、BAP64-06 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 2SC2655 バイポーラトランジスタ TO-92Lパッケージ 製品画像

    2SC2655 バイポーラトランジスタ TO-92Lパッケージ

    東芝製トランジスタのセカンドソース品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:2SC2655 (TO-92Lパッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 2SA812 バイポーラトランジスタ | セカンドソース 製品画像

    2SA812 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

    ルネサス製2SA812の代替品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:2SA812 (SOT-23パッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • BSS138 (SOT23)MOSFET | セカンドソース 製品画像

    BSS138 (SOT23)MOSFET | セカンドソース

    onsemi製BSS138の代替品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:BSS138 (SOT-23パッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • BSS123(SOT23)MOSFET | セカンドソース 製品画像

    BSS123(SOT23)MOSFET | セカンドソース

    onsemi製BSS123の代替品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:BSS123 (SOT-23パッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 5.0SMDJ11A TVSダイオード | セカンドソース 製品画像

    5.0SMDJ11A TVSダイオード | セカンドソース

    主要メーカー製 5.0SMDJシリーズ の代替品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFET、ダイオードなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:5.0SMDJ11A(SMCG) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(20...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 2SC1623 バイポーラトランジスタ | セカンドソース 製品画像

    2SC1623 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

    ルネサス製トランジスタのセカンドソース品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:2SC1623 (SOT-23パッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 1SS344 ショットキーバリアダイオード | セカンドソース 製品画像

    1SS344 ショットキーバリアダイオード | セカンドソース

    東芝製1SS344のセカンドソース品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFET、ダイオードなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:1SS344(SOT-23) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 2SC1815 バイポーラトランジスタ TO-92パッケージ 製品画像

    2SC1815 バイポーラトランジスタ TO-92パッケージ

    東芝製トランジスタのセカンドソース品

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:2SC1815 (TO-92パッケージ) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • MUR105 ファストリカバリーダイオード | セカンドソース 製品画像

    MUR105 ファストリカバリーダイオード | セカンドソース

    主要メーカーの代替品が多数、JSCJのFRD

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFET、ダイオードなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:MUR105(DO-41) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • UMN1N スイッチングダイオード | セカンドソース 製品画像

    UMN1N スイッチングダイオード | セカンドソース

    高速度スイッチング SOT-353パッケージ、主要メーカーのセカンドソ…

    当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせくだい。 型番:UMN1N 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 『CSD15380F3』  製品画像

    『CSD15380F3』

    20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

    『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計れ、最適化れています。 容量が非常に小いため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎ 製品画像

    【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

    業界トップクラスの高パワー効率*低スイッチング損失

    GBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 <特徴> ・FRD と一体形成れたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 【POTENS】600V以上高耐圧品 MOSFET相当品情報多数 製品画像

    【POTENS】600V以上高耐圧品 MOSFET相当品情報多数

    汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ! …

    POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立れた台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧~1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V~1500V製品まで、クロ...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 『CSD22206W』  製品画像

    『CSD22206W』

    8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

    この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小な外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計れています。 低いオン抵抗と、小な占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • GALAXY MICROELECTRONICS 製品画像

    GALAXY MICROELECTRONICS

    ギャラクシーは、ディスクリートデバイスの研究開発、製造、販売に焦点を当…

    性を備えたシリーズ製品および技術ソリューションを提供することができます。当社の製品は、コンピュータおよび周辺機器、家電製品、アダプターや電源、ネットワーク通信、カーエレクトロニクス、産業用制御など、まざまな分野で幅広く使用れています。 2021年1月27日、SSEに上場、株式略称。ギャラクシーマイクロエレクトロニクス、証券コード: 私たちのビジョンは、国内一流、世界的に有名な半導体ディ...

    メーカー・取り扱い企業: リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

  • 【ディスクリート】MOSFET ラインアップ一覧 製品画像

    【ディスクリート】MOSFET ラインアップ一覧

    モーター駆動などのスイッチング素子として利用!大電流の高速のスイッチに…

    )に 金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたトランジスタです。 ゲート・ソース間の印加電圧によってスイッチング制御を 行うことが可能。 モーター駆動などのスイッチング素子として利用れることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャ...

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    メーカー・取り扱い企業: アールエスコンポーネンツ株式会社

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    OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

    ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化!産業機器向けのパワーM…

    tiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善れたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

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    高出力IR光源 HISpower

    TO-8パッケージの高出力赤外線源

    赤外分光法で使用可能なハイパワーで高効率の赤外線源です。 広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。 ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けれたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。 ハーメチックシールにより、パッケージ内に特殊な不活性ガスを充填可能。省エネルギー化を実現しました。 他のCANタイプ...

    メーカー・取り扱い企業: オプトシリウス株式会社

  • 【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失 製品画像

    【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

    【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

    TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せくだい。 ...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

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    Alpha Power Solutions

    アルファ・パワー・ソリューションズ(APS)は、中華圏初の6インチ炭化…

    シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適化れたSiC製品を顧客に提供し、様々なのグリーンエネルギーに貢献することです。...

    メーカー・取り扱い企業: リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

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