電圧 | イプロスものづくり

絞り込み条件

製品分類

メーカー・取扱い企業

約１秒で結果を出す！高圧1500Vの太陽光発電のIV計測

PR約１秒で結果を表示する短時間計測が可能！発電システムの竣工点検・定期点…

『イプシロン1500V』は、高圧化する太陽光発電システムのメンテナンスに対応したI-Vカーブトレーサーです。 PVアナライザ「イプシロン400/1000」の特長を引き継ぎながら、 1500[V]計測を実現しました【特長】 ■短時間計測（結果表示まで約1秒・日射や影の急変の影響を受けにくい） ■シンプルな操作性（事前設定が必要なくワンボタンで計測可能） ■本機と計測ユニット...

メーカー・取り扱い企業：日本カーネルシステム株式会社本社
チップ抵抗ネットワーク1005×4

PR実装コストの低減を実現！電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワーク

当製品は、電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワークです。部品搭載回数の減少による実装コストの低減を実現。最高使用電圧は25V、定格電力は1/16Wです。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。【仕様(抜粋)】 ■素子数：4 ■回路記号：D（独立回路） ■包装数量：10,000 アイエイエム電子ではチップ抵抗ネットワークを始め各種厚膜チップ抵抗器を製造販売しております。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業：アイエイエム電子株式会社
【分析事例】極低加速電圧条件での微細構造観察

極低加速SEM観察によるセパレータ構造評価

状といった微細構造は製品の特性や機能を左右します。材料が樹脂やポリプロピレン(PP)など軟化点が低い場合、観察時の電子線照射により試料が損傷を受け、本来の構造が変化してしまうことがあります。加速電圧0.1kVという極低加速SEM観察により、変質を抑えて試料最表面の形状を詳細に評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による）・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能　EDX検出器による元素分析が可能...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察

低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
発熱解析による電子部品の故障箇所特定

故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能！高精度な発熱箇…

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定する手法です。ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み

「SEM像」や「吸収電流像（電流センス）」など！配線のオープン不良、高…

ております。『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいたコントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗不良箇所を検出することもできます。【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
WDXによる元素分析サービス｜JTL

材料分析・異物分析に適した微量元素・軽元素の分析を実施します。

光結晶も装備されていますので、B～Uまでの元素の高精度な定量が可能です。【微小領域（サブミクロンオーダー）の分析空間分解能】 FE-EPMAは電解放射（FE）型電子銃を採用しており、低加速電圧、WDX分析電流範囲 (10～100 nA) でも微小プローブが得られるため、低加速電圧を用いた高いX線空間分解能の分析が可能です。サブミクロンオーダーまで分析領域が絞れるため、30,000倍程...

メーカー・取り扱い企業： JAPAN TESTING LABORATORIES株式会社本社
［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

■広がり抵抗とは試料にバイアス電圧を加えて、探針直下に存在するキャリアを探針に流入させ、その電流を対数アンプで増幅して、抵抗値として計測します。このとき、印加したバイアス電圧は、探針の直下で急激に減衰します。そのため、探針に流入でき...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
電子機器の加速劣化試験サービス

お客様の製品に適した加速劣化試験を“具現化”して提案・実施！加速劣化試…

れ方やお悩み事項等のヒアリング内容から、お客様の製品に適した加速劣化試験を“具現化”して提案・実施。部品選定・評価検討段階から、お気軽にご相談下さい。【特長】 ■一般的な温湿度・電圧印加は勿論、絶縁劣化時でも好適な印加電圧を　ダイナミックに自動制御し、絶縁劣化後の最悪事象の確認が可能 ■加速劣化試験の立案・実施の他、試験終了後、絶縁劣化箇所の特定から、　劣化・断線箇...

メーカー・取り扱い企業：ユーロフィンFQL株式会社
［SIM］走査イオン顕微鏡法

高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能

・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM像観察が可能・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる・金属結晶粒観察が可能（Al, Cu等) ・分解能はSEM像より劣る（SIM：4nm, SE...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
電動車両の性能評価

自動車およびその周辺分野を含めた様々なニーズにお応えし、委託試験・研究…

■4WDシャシダイナモメータ ■計測項目　・速度　・燃料消費量　・バッテリ電圧，バッテリ電流，バッテリ電力　・モータ電圧，モータ電流，モータ電力　・排出ガス成分　・ホイールトルク　・車両CANデータ　・水素流量　ほか...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人日本自動車研究所