【異形黄銅棒】 切削加工を減らしコストダウンを実現！

PR”異形の開明”　国内の異形黄銅棒専業メーカーです。素材段階で複雑で特殊…

当社は複雑で特殊な形状を得意としております。 最近話題の環境対応材質も開発し、環境に配慮した材料も提供しています。 JIS H 3250 認定工場 になります。 平角（平棒、FB、フラットバー）を中心として汎用金型も多数保有しております。 黄銅（真鍮、真中） ・65：35黄銅 黄銅2種(BS2）　C2700BE-F　C2700BＤ-F ・曲げ用黄銅 黄銅3種(BS3）　C2800BE-...

メーカー・取り扱い企業： 開明伸銅株式会社 本社　

盤内用LED照明ユニット 『MLSシリーズ』

PR壬生電機の大ヒットLED照明ユニットに新シリーズがリリース！

壬生電機製作所は新たな盤内用LED照明ユニット『MLSシリーズ』は 設計段階から見直しを図り、低コスト・高品質を実現しました。 【特長】 ■ACフリー電源対応: AC100V～240VおよびDC100V仕様 ■V-0成型樹脂使用 ■さまざまな規格準拠の安心設計 直電線タイプ・端子台付タイプございます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。.....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社壬生電機製作所

［C-SAM］超音波顕微鏡法

C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です…

C-SAMは、SAT：Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、透過波の取得も可能。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似的に試料を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法：恒温恒湿試験,はんだ濡れ性試験 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にC60（フラーレン）とGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】化学修飾XPSによる水酸基の定量

高分子フィルムの水酸基評価

の接着性や濡れ性といった特性を制御するにあたって、表面に存在する極性官能基(アルコール基)を定量的に評価することは非常に重要です。XPSは定量的な評価に最適ですが、ピーク位置が隣接している酸化状態(C-O-C)と水酸化状態(C-OH)を切り分けて定量することが困難です。 MSTではポリビニルアルコール（PVA）について化学修飾法を用いてアルコール基のみを選択的に反応させた後に、XPSにて定量す...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメー...

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【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

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【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタ...

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NMR分析サービス

NMRで有機物から無機物まで、組成や分子構造を幅広く分析！ 検討から…

○感度良く分析できます！ ・共鳴周波数600MHz (1H) での高感度測定により、不純物レベルでの分析が可能。 ・超低温プローブを用いることで、1H で約2 倍、13C で約3 倍の感度で測定可能。 ○固体でも液体でも分析できます！多核分析もお任せください。 ・一般的な核（H・C）以外も測定可能(Li・F・Na・Al・Si など)。 ・液体に溶けない物質...

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［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャ...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数n...

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【分析事例】薄いカーボン膜の深さ方向分析

ダイヤモンドライクカーボン(DLC)やグラフェンの深さ方向分析が可能

取得が可能であるため、各層の定性を行うことで非常に薄い層の成分の解析が可能です。 本事例では、ハードディスクを深さ方向に分析を行いました。その結果、表面に形成されるダイヤモンドライクカーボン(DLC)層は2層構造となっており、表面側では窒素が含まれるC層、奥側でCのみの層となっていることが分かりました。この方法を応用して、グラフェン膜の深さ方向分析も可能です。 測定法：TOF-SIMS 製...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池内ガスの評価

電池内ガス成分の定性・定量

リチウムイオン二次電池の電解液は、充放電の繰り返し等で分解しガス化することが知られています。 GC-TCDやGC/MSを使用することで、分解したガス成分を高感度に検出することができます。 GC-TCDでは8成分(H2, O2, N2, CO, CH4, CO2, C2H4, C2H6)の組成比...

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【分析事例】LASのアルキル鎖長分布調査

粉洗剤・液体洗剤、家庭用排水等のLAS分析が可能です

係る環境基準の項目に追加され、基準値が制定されました（平成25年3月27日）。LASの使用用途の約9割が家庭用洗剤とされていることから、既成の家庭用洗剤と家庭用排水の測定を行い、LASアルキル鎖長（C10～C14）分布の比較を行いました。...

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【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバッ...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミ...

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