SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード

開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指し…

ーダイオードよりも順方向損失を 最大で40％低減することに成功しました。 開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。 また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。 【掲載内容】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 本社

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。

も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。 半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。 【特長（SiCパワー半導体素子）】 ■小さなオ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽