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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、Si...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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樹脂材料を分析し、製品性能に与える特性を評価することが可能!
株式会社アイテスでは、樹脂材料(半導体 LED用途)の分析を行っております。 MOSFET、ICといった半導体製品、LEDパッケージには、エポキシ樹脂や シリコーン樹脂といった 樹脂材料が多く使用されています。 これらの特性は製品の性能に大きく寄与します。当社ではこれらの ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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