【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、Si...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

樹脂材料（半導体 LED用途）の分析

樹脂材料を分析し、製品性能に与える特性を評価することが可能！

株式会社アイテスでは、樹脂材料（半導体 LED用途）の分析を行っております。 MOSFET、ICといった半導体製品、LEDパッケージには、エポキシ樹脂や シリコーン樹脂といった 樹脂材料が多く使用されています。 これらの特性は製品の性能に大きく寄与します。当社ではこれらの ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス