JUKI新製品公開！6/12~14実装プロセステクノロジー展出展

PRJUKI Smart Solutions「高効率、最適化、高品質な生産…

JUKIは6/12(水)～6/14(金)に東京ビッグサイトにて開催される 「第25回 実装プロセステクノロジー展」に出展いたします。 今回の実装プロセステクノロジー展では、 JUKI Smart Solutions「高効率、最適化、高品質な生産プロセスの実現でお客様の課題を解決」 をテーマに、プラネットヘッドP20Sを加えた「高速フレキシブルマウンタ LX-8」をはじめ、 世界初公開...

メーカー・取り扱い企業： ＪＵＫＩ株式会社

【FOOMA2024出展決定】クリーン環境対応の天井搬送システム

PR納入事例動画あり！工程間搬送で実績多数のワーク形状を問わない高速搬送シ…

■FOOMA JAPAN2024に出展決定■ 会場　　　：東京ビックサイト　東１～８ホール 会期　　　：2024年6月4日(火)～7日(金)　4日間 ブース番号：東7　P-15 ぜひ実機をご覧ください！ 「オートランバンガードMark2」は、モノレール式の高速自動搬送システムです。天井を走行し、人やコンベヤや加工機などの地上導線に囚われない最短ルートでの工程間搬送を実現します。ハンガ部分はお...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社椿本チエイン　マテハン事業部

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

3インチ、4インチ、6インチに対応可能　「SOSウェーハ」

直径3インチ、4インチ、6インチのSOSウェーハ（シリコンオンサファイ…

SOSウェーハはサファイアのR面の基板上にシリコンをエピタキシャル成長させたウェーハです。 圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。また放射線に対する耐性が高いのが特徴です。 3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能な場合がありますので是非お問い合わせください。 エピ層のドーパン...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

SiCウェーハ

SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …

SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ 、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など 研究開発実験用品に適しています 。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業： インターケミ株式会社

シリコンウェハー【納期対策】

小ロット、短納期、安定供給が可能です！ 半導体向けのシリコンウェハー…

株式会社トリニティーではお客様のニーズに合わせ、各種半導体向けの シリコンウェーハをご提案させて頂きます。 前工程向け「モニターウェーハ」や、後工程向け「ダミーウェーハ」等をラインアップ。 それ以外にも各種膜付きウェーハ、高抵抗値ウェーハ、低抵抗値ウェーハ等各種仕様のウェーハをご提供可能でございます。 ウェーハの詳細スペック、数量、その他仕様についてもお気軽にお問合せ・ご相談下さい...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティー

シリコンインゴット

シリコンインゴット、インゴット

製品説明 CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。...直径mm：φ200-φ550 タイプ：P 結晶方位：<100>/<111> 純度 ：...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部