★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

MX93/91SOMモジュール

PRi.mx8の後継機に高性能で価格もお手頃なi.mx9シリーズでの開発は…

i.mxシリーズをはじめARM-SOCも円安もあって高騰しております。 そこで三井電子はi.MX93/91のCPUモジュールを開発しました。 このまま使い続けてもますます部材費は高騰するばかりです。 でしたらNXPの新製品i.mx9シリーズでの後継機開発はいかがでしょうか？ i.MX93は不要な機能をシュリンクしたコストパフォーマンスモデルで、 既存製品を性能UPできるうえにコス...

メーカー・取り扱い企業： 三井電子株式会社 産業機器分野のサービスパートーナー

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

オプトエレクトロニクス部品

光通信用バタフライパッケージや低速＆低コスト型HTCCパッケージなどを…

当社では「オプトエレクトロニクス部品」の製造販売を行っております。 好適なワイヤー濡れ性を確保したプレーティング加工の「光通信用Min-DiL, Min-Flat＆Min-Pin;パッケージ・低速＆低コスト型HTCCパッケージ」や AuSn共晶パッドの「Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック」などをラインアップ。 ご用命の際は、当社...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社