★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』

PR高機能・高品質のアルミ溶解炉。当社のベストセラーモデル"アル…

お客様の運用面・ニーズにお応えできる、多様性を備えたアルミ溶解炉の ベストセラーモデル"アルキープ3姉妹"のご紹介！ アルキープの最大の特長である独自設計の「溶湯プール部」を備え、 溶解室で溶湯を昇温し、溶湯は常にクリーンな状態を維持できます。 【アルキープ3姉妹】 ■アルキープ 　当社独自設計の「溶湯プール部」を備えた元祖モデル。 　溶解室の形状変更により、さらに耐久性・省...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＴＯＫＡＩ

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

『SEMICON JAPAN出展』のご案内

2023年12月13日(水)～15日(金)に東京ビッグサイト(東展示棟…

当日展示会場では、半導体ウエハ-のチップ化工程をコンパクトなボディに集約した単体機「DIALOGIC DS Series」のデモンストレーションを実施予定です。また、SiCウエハー最先端半導体デバイスのチップ化工程の加工技術もご紹介いたします。...● 概要 ● 【会期】2023年12月13日（水）～ 15日（金） 【時間】10:00～17:00 【会場】東京ビッグサイト（東展示棟） 【ブ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社