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【展示会出展】自動車開発のエンジニアリングサービス/開発受託
PR欧州の開発現場で培った経験とノウハウで、CAEから試作、評価まで、様々…
自動車業界における開発の現場では、期間短縮や効率化の観点からMBDなどの新たな開発手法の導入が進んできています。 開発業務を委託するエンジニアリング会社には、多岐にわたる技術項目をカバーできる経験やノウハウが求められます。 マグナは、自動車開発、EV/FCV駆動システム適合、CAE、試作、試験など 幅広いエンジニアリングサービスを欧州の顧客を中心に提供し、実績と経験を積んできました。 その経験を...
メーカー・取り扱い企業: マグナ・インターナショナル・ジャパン株式会社
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AI端末装置『AI-NETWORK TERMINAL II』
PRDeep Learningとネットワークを融合した本格AI端末装置*A…
AIを使用した問題解決 ◎正常か異常か、AIが音で判断します! 数社との連携で様々な環境音、生活音等を現場で収集し、収集音データを 学習して「何か起きた⁉」に対応する異常音検知の開発を進めています。 AIコアモデルのAuto_Encoderを使用し、正常音を学習することで異常音 検出(非定常音検出、特異音検出)を可能としています。工作機械、製造 ライン、体内の音、道路、住宅街等、様々な機械音、工場...
メーカー・取り扱い企業: SIシナジーテクノロジー株式会社 本社
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赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量
SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ICP-MSによる高感度分析
Siウエハ上のSiN膜(Si3N4)を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウエハ上のSiN膜を溶解後、別途処理を施すことでSiマトリックスの影響なくSiN膜中不純物金属元素の分析を可能としました。市販品のSiN膜付きSiウエハを用いてICP-MSによる高感度分...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能
Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。 100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。 一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2(H2)、m/z 18(H2O)、m/z 27(C2H3:有機物のフラグメント成分)が脱離しているのが分かります。高真空下(1E-7Pa)で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能
薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。 今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン(SiN)膜のバ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定
非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です
残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD(X線回折法)では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をV字加工した試料を作製し、引張試験用装置で引張負荷を印加する前後の残留応力の比較および、印加後の試料で残留応力の分布を確認した事例について紹介します。なお、残留応力値はsin2ψ法を用いて求め...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。
・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm~100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温~1100℃までの加熱分析が可能 ・ビーム径100μmまでの微小部測定が可能 ・N2、He、Ar、真空での雰囲気制御が可能 ...XRDの評価対象である『結晶』とは、物質を構成する...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価
基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です
角度分解XPS(ARXPS)はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SRA:広がり抵抗測定法
SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値(ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...詳しいデータはカタログをご覧くだ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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