マグネトロンスパッタ装置『scia Magna 200』

最大200mm径基板！ダブルリングマグネトロン(Fraunhofer …

『scia Magna 200』は、回転式単体マグネトロンの マグネトロンスパッタ装置です。 アプリケーションは、TC-SAW向け温度補償膜(SiO2)、AlN等圧電膜、 光学用高・低屈折膜、絶縁膜(Si3N4, SiO2, Al2O3)です。 また、プロセスはマグネトロンスパッタとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大200mm...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ハイテック・システムズ

研究開発用スパッタリング装置

高水準な仕様と豊富なオプションで様々な成膜用途に適した研究開発用スパッ…

特長 ■クリーンなサイドスパッタ方式を採用 ■ロードロック式タイプ、バッチ式タイプの2機種をご用意 ■タッチパネルで簡単な操作・成膜条件管理、メンテナンスも容易な装置コンセプト ■設置スペースを取らないコンパクトな装置 ■お客様のご要望・用途に応える豊富なオプション ■低温・高温スパッタにも対応 ■広範囲に分布が良いスパッタ源を標準搭載（±5%以内（SiO2でφ170mm以内）） ...

メーカー・取り扱い企業： 芝浦メカトロニクス株式会社

L/S 2μm対応『室温スパッタ装置』

半導体、プリント基板、表面処理に！高い密着力を実現する室温スパッタ装置

L/S 2μm対応『室温スパッタ装置』は、 基板とプラズマ領域が分離されており、熱ダメージを抑えつつ、高い密着力を実現する装置です。 510mm×610mm（最大730mm×920mm）の大型基板に対応し、基板2枚並行処理も可能です。 各種薄膜形成、シード層形成（過マンガン酸・無電解めっきからの置換）などの用途に適しています。 【特長】 ○精密有機パッケージ基板に最適 ○高い生産性 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社サーマプレシジョン

高レート イオンビーム・スパッタ高速成膜装置（HR-PVD）

誘電体、強磁性体成膜を高レートかつ高品位に高速成膜

従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。　 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』

良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！

『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 　・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMP...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社日本シード研究所

割れない！削らない！低コストな『スパッタリングターゲット』

酸化被膜防止を目的としたプレスパッタリングが必要なく工数削減が可能！熱…

当社は特殊な製法により割れを低減させたSiターゲットを供給しております。 現状、割れが多く発生すると言われているSiターゲットですが、 弊社の特殊製法により割れを低減させることが可能です。 その他の各種金属材料や酸化物、合金ターゲットなど お客様のご要望により製造・販売しております。 バッキングプレートを支給して頂き、新たなターゲット材にボンディング加工も致します。 関係会...

メーカー・取り扱い企業： USTRON株式会社