SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーテ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【開発】セラミックDIPコーティングで厚膜イットリアを実現

半導体製造工程での耐プラズマ性向上、溶融金属へのセッター、るつぼ、ロー…

ける面粗度大。 ※コーティング対象物の設計自由度は増しますが形状に応じ打合せ要。 ２．幅広いコーティング材＋対象基材 ・コーティング可能セラミックス素材：ほとんどの酸化物及び非酸化物(BN、SiC、Si3N4等) ・対象基材：ファインセラミックス全般、等方性黒鉛、石英等ガラス、耐火物、金属(耐熱温度確認要) ３．ディッピングにより他コーティング方法への高いアドバンテージ ・低コスト(...

メーカー・取り扱い企業： ナラサキ産業株式会社 メカトロソリューション部　機能材料課