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  • SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』 製品画像

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

    PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

    メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

  • TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー 製品画像

    TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

    PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

    TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

    • sabu画像.png

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

  • ICP エッチング装置 製品画像

    ICP エッチング装置

    ヨーロッパ 発の技術から生まれた汎用性の高い装置！

    iN、pGaN、AlGaN層の特別処理が可能； pGaNの高エッチング選択比を実現、AlGaN層に低損失制御； 超低出力工程に対応 ・Pishow D： DRIE技術をベースに、Si、SiCの深掘りに対応； ガスの切り替え速度＜1s； BOSOH工程に対応可能 ...

    メーカー・取り扱い企業： 日星産業株式会社

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