CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

PR少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハ…

【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等） ＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターを...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮

/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。 インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、 ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。 非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、 貴重な基板スペースを節約することができます。 【特長】 ■コアレスト...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。 本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを 迅速に実現するための基本構成を提供。 ソフトスイッチング トポロジーと...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

プ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品で...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

車載用1200V CoolSiC MOSFET

温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に…

車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

アナログおよびデジタルドライバファミリー『EiceDRIVER』

X3 Compactファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化…

ミリーはシンク・ソース共に最大14A、また優れた伝搬遅延 マッチング（最大7ns）を備えています。 【特長】 ■VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ■IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクテ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社