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SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』
PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(…
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…
<主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーテ...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…
応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする...
メーカー・取り扱い企業: 日本エクシード株式会社
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