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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)
短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…
ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ
双方向のトポロジーに対応!より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…
CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)
デッドタイムを最小化!アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上
オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…
7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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