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  • SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』 製品画像

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

    PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

    メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

  • TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー 製品画像

    TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

    PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

    TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

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    メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

  • パワーデバイス（SiC）をチップ化 製品画像

    パワーデバイス（SiC）をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

    メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化 製品画像

    高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

    メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法 製品画像

    カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

    水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

    三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」に...

    メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

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