切粉破砕機『チップクラッシャー』

PR切粉を最大1/10破砕！保管場所の省スペース化が実現。

『チップクラッシャー』は、機械加工で出る鉄くずを粉砕する製品です。 場所を取りがちな切粉の一時的な保管が、当製品の導入により省スペース化が実現。 破砕により容積を最大1/10に減らすことができ切粉の輸送などにかかる手間を減らすことができます。 さらに作業の効率化や、産廃コスト削減による節約なども見込めます。 SDGsやカーボンニュートラルへの取組みに対して親和性の高い製品です。 材質に合わせ...

メーカー・取り扱い企業： 浜松貿易株式会社

HallinSight 3D ホール効果 磁場カメラ

PRHallinSightのベクトル式磁場イメージング技術によって、「3D…

HallinSightは、Flaunhofer IIS（フラウンホーファー集積回路研究所）によって開発され、以下の特長があります。 ・見えなかったものを見えるようにする 3軸磁場カメラです。 ・動的な磁場をリアルタイムでマッピングできます。 ・X,Y,Z 3軸を同時測定するホールセンサ・アレイを用います。 　⇒ 32×32点、16×16点、32×2点の3種類があります。 　⇒ 各々2...

メーカー・取り扱い企業： 大栄無線電機株式会社

【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及び...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中の金属汚染評価

ICP-MSによる高感度分析

Siウエハ上のSiN膜（Si3N4）を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。 100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。 一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2（H2）、m/...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

SとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロード、また...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定

非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です

残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD（X線回折法）では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をＶ字加工した試料を作製し、引張試験用装置で引張負荷を印加する前後の残留応力の比較および、印加後の試料で残留応力の分布を確認した事例について紹介します。なお、残留応力値はsin2ψ法を用いて求め...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［XRD］X線回折法

XRDは、回折パターンから試料の結晶構造情報を得る手法です。

・結晶性物質の同定が可能 ・結晶子サイズの評価 (数nm～100nm)が可能 ・結晶化度の評価が可能 ・配向性の評価が可能 ・歪み量・応力の評価が可能 ・非破壊で分析が可能 保有装置の特徴 ・室温～1100℃までの加熱分析が可能 ・ビーム径100μmまでの微小部測定が可能 ・N2、He、Ar、真空での雰囲気制御が可能 ...XRDの評価対象である『結晶』とは、物質を構成する...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託成膜・受託分析

各種成膜・表面処理・塗布加工や、受託測定のことなら当社へお任せください

【各種成膜・表面処理・塗布加工詳細】 ■真空成膜加工 　・加工方法：P-CVD、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング 　・膜種類：SiN、SiO2、DLC、ITO、Al2O3他各種メタルなど 　・基板：Si、ガラス、フィルム他 ■エッチング・表面処理 　・処理方法：P-エッチング 　・基板：Si、ガラス、フィルム他 ■塗...

メーカー・取り扱い企業： アイゲート株式会社 本社

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例集】インバータスイッチ故障時のECUフェール検知検証

インバータ故障時のフェール検知を検出時間内（100ms以内）で行えるか…

当資料は、U相上アームをオープン故障させ、故障発生から 検出時間：100ms以内に故障が検知できるかを検証した資料です。 フェール検知は、電流波形に含まれる4次以上の成分を ハイパスフィルタを使用して抽出して判定いたします。 【掲載内容】 ■システム構成 ■コントローラ仕様 ■モータ仕様 ■検証内容 ■検証結果 ■考察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか...

メーカー・取り扱い企業： 穂高電子株式会社 パワエレソリューション

【分析事例】SRAの深さ換算について

SRA：広がり抵抗測定法

SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値（ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...詳しいデータはカタログをご覧くだ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST