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デバイス量産へ、優れたプロセス品質、信頼性、高スループットを提供!
各種 <処理温度と容量> 〇~300℃ 〇最大1000ウエハ/24時間@膜厚15 nm Al2O3 <一般的なプロセス> 〇1桁秒~のサイクルタイム可能なバッチプロセス 〇Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、メタル 〇バッチ1%未満の1σ不均一性(Al2O3、WIW、WTW、B2B、49 pts、5mm EE) <基板ローディング> 〇真空クラ...
メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社
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高品質のALD膜を作り出す!MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜…
なし基板(特注ホルダー) ・高アスペクト比サンプル(2500:1~) ■処理温度:50~500℃ ■標準処理 ・最小1桁秒までのサイクルタイムでバッチ処理が可能 ・AI2O3、SiO2、Ta2O5、HFO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AIN、TiN およびメタル ・<1% 1σバッチ内不均一性 (Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE) ■基板の装着 ...
メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社
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