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PR様々なカスタム設計が可能!ご要望に応じて試験治具の設計提案も承ります
『大電流用ソケット』は、IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに対応するテストソケットです。 デバイスの放熱性向上用のためのクランプ固定式やネジ止め式など様々な カスタム設計が可能。低抵抗な材料を用いて100A以上の大電流に対して 製作できます。 大電流の需要が高まっているので、パワーエレクトロニクス分野へ力を入れています。 【特長】 ■IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社SDK
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残圧下で簡単接続!液だれほぼ無しストーブリの大口径カップリング!
PR着脱時の液だれがほぼゼロ【ノンスピルカップリング】 / 圧力損失がほぼ…
【大口径ノンスピルカップリング】 製品名:【TCH】 / 【TCB】 / 【TTX】 (全3種類) 残圧下6barまで簡単に接続可能!着脱時の液だれほぼ無しを実現!ハンドルを回して簡単着脱の大口径カップリング! <特長> ・着脱時の液だれ/エア噛み/コンタミ混入ほぼゼロのノンスピル構造で、現場や作業者の安全を守ります ・誰でも簡単にハンドルを回すだけで接続を可能にしたストーブリ独自の技術...
メーカー・取り扱い企業: ストーブリ株式会社
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SiC Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200
SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能! 多彩な回路方式…
搭載した、実験用のHブリッジ(単相インバータ)回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です。系統連系インバータ、Dual Active Bridge、Modular Multi-level Converter(MMC)など様々なアプリケーションの実験システムを構築できます。 ...
メーカー・取り扱い企業: ヘッドスプリング株式会社
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すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット
ースボード:HC-EXIF-A ■HECS用操作ボード:HC-OP-A <主回路/ハーフブリッジ・双方向スイッチ> ■SiCパワーデバイス搭載回路ブロック:HGCB-2A-401350 ■GaNパワーデバイス搭載回路ブロック:HGCB-2B-401150 ■双方向スイッチ回路ブロック(SiC):HGCB-2C-401100(単体) HGCB-6C-401100(3枚筐体セット) <主...
メーカー・取り扱い企業: ヘッドスプリング株式会社
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