インスタントにDX！3分で点検リモート化　※改善事例プレゼント！

PR現場も改善も止めない後付カンタンな「インスタントDX」の最適解

点検業務のリモート化を検討したくても、費用と手間がネックで、改善が進まなかったご経験はありませんか？ リリースから約3年半で、約4,600台 約600施設 約400部門※1、 日本国内で導入されたリモート点検ツール。 バッテリー駆動、かつLTEモバイルネットワーク内蔵のため、電源・ネットワーク工事不要で即日起ち上げ可能。 WEBブラウザソフト(LiLz Gauge)までを一...

メーカー・取り扱い企業： 【公式】LiLz（リルズ）株式会社

非接触赤外線放射温度計　 L−1000シリーズ

PRガラス越しの温度測定が可能。操作簡単。シンプル且つ特別な光ファイバー式…

簡単操作のなかで、その瞬間の温度を設定値に捕らえようとするアラーム機能が搭載された、赤外線放射温度計です。通常の操作による変更はもちろん、L-1000の特徴とも言えるＤ・ＳＥＴキーによりダイレクトに設定値（アラームＨｉ）を登録することができます。変更の煩わしさから解放されます。(ビーム機能を除いてＬＯＣＫ状態で設定値を保護します。) 140～3000℃をシリーズで測定可能。 【特長】 ■ガラ...

メーカー・取り扱い企業： レック株式会社

［C-SAM］超音波顕微鏡法

C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です…

C-SAMは、SAT：Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似的に試料を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法：恒温恒湿試験,はんだ濡れ性試験 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にC60（フラーレン）とGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】化学修飾XPSによる水酸基の定量

高分子フィルムの水酸基評価

高分子フィルムの接着性や濡れ性といった特性を制御するにあたって、表面に存在する極性官能基(アルコール基)を定量的に評価することは非常に重要です。XPSは定量的な評価に最適ですが、ピーク位置が隣接している酸化状態(C-O-C)と水酸化状態(C-OH)を切り分けて定量することが困難です。 MSTではポリビニルアルコール（PVA）について化学修飾法を用いてアルコール基のみを選択的に反応させた後に、XP...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

たイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

NMR分析サービス

NMRで有機物から無機物まで、組成や分子構造を幅広く分析！ 検討から…

【分析事例】 ・電池/半導体：電解液の溶液 NMR や大気非曝露での多核・固体 NMR 測定 ・樹脂/ポリマー：樹脂成分やポリマーの組成・劣化解析が可能 ・食品/環境：食品・サプリメント中の成分の定量や劣化状態の分析 ・医薬/バイオ：薬物と受容体の相互作用の有無や強弱の測定が可能...○感度良く分析できます！ ・共鳴周波数600MHz (1H) での高感度測定により、不純物レベルでの分析...

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［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

M・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜） ・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能 ・SIM像で金属結晶粒（Al, Cu等）の観察が可能...

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【分析事例】薄いカーボン膜の深さ方向分析

ダイヤモンドライクカーボン(DLC)やグラフェンの深さ方向分析が可能

TOF-SIMSは深さ方向に質量スペクトルの取得が可能であるため、各層の定性を行うことで非常に薄い層の成分の解析が可能です。 本事例では、ハードディスクを深さ方向に分析を行いました。その結果、表面に形成されるダイヤモンドライクカーボン(DLC)層は2層構造となっており、表面側では窒素が含まれるC層、奥側でCのみの層となっていることが分かりました。この方法を応用して、グラフェン膜の深さ方向分析も可...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池内ガスの評価

電池内ガス成分の定性・定量

リチウムイオン二次電池の電解液は、充放電の繰り返し等で分解しガス化することが知られています。 GC-TCDやGC/MSを使用することで、分解したガス成分を高感度に検出することができます。 GC-TCDでは8成分(H2, O2, N2, CO, CH4, CO2, C2H4, C2H6)の組成比、GC/MSでは様々な分解物などを定性分析可能です。ラミネート型だけでなく、コイン型、角型のセル、さら...

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【分析事例】LASのアルキル鎖長分布調査

粉洗剤・液体洗剤、家庭用排水等のLAS分析が可能です

直鎖アルキルベンゼンスルホン酸およびその塩（LAS）は、生物への影響が懸念される物質とされることから、水質汚濁に係る生活環境の保全に関する環境基準のうち、水生生物の保全に係る環境基準の項目に追加され、基準値が制定されました（平成25年3月27日）。LASの使用用途の約9割が家庭用洗剤とされていることから、既成の家庭用洗剤と家庭用排水の測定を行い、LASアルキル鎖長（C10～C14）分布の比較を行い...

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【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。II...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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