• ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー 製品画像

    ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー

    PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー

    当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット)  ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減  ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド

  • 【SCREEN】”塗る”を極めたスリットコータ  ※カタログ進呈 製品画像

    【SCREEN】”塗る”を極めたスリットコータ ※カタログ進呈

    PRラボスケールでの高精度塗布を実現。低粘度から高粘度まで、実験・試作段階…

    『リサーチコータ』は、液晶や有機ELディスプレー製造工程で 数多くの採用実績を誇る「コーターデベロッパー」の高度な塗布技術を ラボスケールに展開したスリットコータ(ダイコータ)です。 塗布部にはスリット式塗布装置「リニアコータ(TM)」を搭載。 1~10,000mPa・sの低粘度から高粘度の塗布材料を、ガラス基板、樹脂基板、 フィルム、金属箔など様々な基材に高精度にスリットコートでき...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社SCREENファインテックソリューションズ

  • クラスター装置『Morpher』 製品画像

    クラスター装置『Morpher』

    デバイス量産へ、優れたプロセス品質、信頼性、高スループットを提供!

    ハ最大50枚/バッチ 〇高アスペクト比サンプル(最大1:2500) 〇基板材料:Si、ガラス、化合物半導体各種 <処理温度と容量> 〇~300℃ 〇最大1000ウエハ/24時間@膜厚15 nm Al2O3 <一般的なプロセス> 〇1桁秒~のサイクルタイム可能なバッチプロセス 〇Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、メタル 〇バッチ1%未満の1σ不...

    メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社

1〜1 件 / 全 1 件
表示件数
15件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • IPROS12974597166697767058 (1).jpg
  • ipros_bana_提出.jpg

PR