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フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』
PR薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応。多機能…
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、RIE/ICP-RIE、PECVD/ICP-CVDに対応し コンパクトながら高性能かつ多機能な半導体製造装置です。 成膜とエッチングプロセスを一台で実現し、様々なウエハサイズと形状に対応可能。 シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要です。 世界で広く採用されており、Plasma-Therm LLCの グ...
メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社
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夏こそクーラント腐敗臭をゼロに!アルカリイオン水特価キャンペーン
PR切削液に混ぜるだけでクーラントの腐敗臭がなくなります。期間限定6月末ま…
高pHアルカリイオン水は【高い浸透性】【冷却性】【水の腐敗防止効果】【洗浄力】といった特長があり、切削・研削時にクーラント(切削油)に混ぜるだけで加工効率が向上します。 また、高い冷却効果によって加工時に発生する摩擦熱が抑えられるため、工具寿命の延長にもつながります。 ・洗剤を内製できる ⇒ コスト削減 ・水でできた洗浄水なので安全 ⇒ 職場環境改善 や 規制クリア ・洗浄液の加温設定...
メーカー・取り扱い企業: クール・テック株式会社
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動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL)
イオン注入、あるいはスパッタリング現象そのものに関する計算を行うことが…
『動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア(SASAMAL)』は、 2体衝突近似に基づくモンテカルロ法によるシミュレーションコードです。 アモルファスターゲットに高エネルギーのイオンが入射した際の スパッタリング率、スパッタリング原子の放出角度分布・エネルギー分布、 入射粒子の後方散乱する割合・角度分布・エネルギー分布、イオンの ターゲットへの侵入深さ(Depth Profile...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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DSMC法を用いて中性粒子の密度、温度、圧力分布等を計算するソフトウェ…
『RGS3D』は、DSMC法(粒子モデル)を用い、様々な真空装置内の希薄気体の 流れ場を解析するためのモジュールです。 気体を連続体であると見なして取り扱う、ナビエ・ストークス方程式の 適用限界を超えるKn(クヌーセン数;流れの希薄度を評価する無次元数、 Kn=平均自由行程長/流れの代表長さ)が、Kn > 0.01の場合の流れ場の 解析を得意としています。 また、Kn > 1と...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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圧縮性と粘性を考慮した流れの計算が可能!ガス成分の種類ごとに密度と流量…
『中性粒子連続体モジュール(NMEM)』は、複数種の原子・分子 (電荷を持たない粒子)からなる混合気体の流れ場を計算します。 中性粒子種各成分の拡散を考慮した流体の基礎方程式を解くことにより、 各成分の流量と密度を計算。 この基礎方程式は気体を連続体とみなしたもののため、Kn(クヌーセン数; 流れの希薄度を評価する無次元数Kn=平均自由行程長/流れの代表長さ)が およそKn<0...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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初期形状はトレンチ、ホールで与えることが可能!基板、堆積膜の経時変化を…
『表面形状・シミュレーション・モジュール(FPSM3D)』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 セル法特有のシャープな境界面は用いず、固体層占有率による勾配から 入射角を決定し、入射角依存の鏡面反射確率、反応確率に適用。 PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能…
『表面形状・シミュレーション・モジュール(FPSM2D)』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能。 入射粒子情報(粒子フラックス、入射エネルギー・角度分布)はPEGASUS 気相モジュール、PEGASUS表面科学系モジュールからの出力...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)
内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です!
『シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール(SMCSM)』は、 プラズマシース端からシースを通ってシース底部(ターゲット表面)に 達するイオン、電子のエネルギー分布、角度分布等を計算します。 PIC-MCCM、PHMとも、計算時間がかかりますが、ターゲット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能で...
メーカー・取り扱い企業: ペガサスソフトウェア株式会社
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