サファイア基板 | イプロスものづくり

単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、PSS加工、GaNエピ…

同人産業では主にキロプロス（Kyropoulos）法のサファイア材料を提供しております。弊社のサファイア基板は、国内工場で生産している他、海外の優良メーカーにて委託生産しております。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など研究開発実験用品に適しています。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業：インターケミ株式会社

サファイアキャリアウェハ

信光社製サファイアキャリアウェハ

スルーホール加工、レーザーマーキング、面取り加工、オリフラ加工...半導体製造工程における脆性半導体（ガリウム砒素など）の基板搬送用としては、サファイアキャリアウェハが最適です。高強度で熱伝導性があり耐薬品性に優れています。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社信光社

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ハ…

【取扱商品】＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等）＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

1インチ以下～450ｍｍで提供可能　「CZウェーハ」

1インチ以下～４５０ｍｍまで提供が可能です。各種成膜加工、ＦＺウェーハ…

弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・ＳＯＩウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。また貴社でお持ちのウェーハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工など...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

アル株式会社　会社案内

グロバールなネットワークでお客様をサポート！ALUがお届けします

各種ウェーハープロセス装置用部品・材料の設計・製造・輸入・販売 ■スパッタリング・真空蒸着装置の輸入・販売(米国CHA社) ■高純度水素精製装置(ジョンソンマッセイ社)の輸入・販売 ■サファイア基板・部品の輸入 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業：アル株式会社本社

【研磨加工素材】酸化物材料　研磨加工

様々な酸化物半導体結晶の研磨加工が可能です。

弊社では、加工技術を量産で対応出来る能力を持ち合わせております。又、青色発光ダイオードやレーザーダイオードに用いられる基板の研磨加工も行っています。用途に応じた加工スペックを満足すべくラッピング、ポリッシング加工を量産ベースで行っています。【加工詳細】 ■材料名：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、水晶、サファイア、サファイア再生、etc. ■加工素材：LiN...

メーカー・取り扱い企業：日本エクシード株式会社

ニョウブ酸リチウム基板（LN / LiNbO3）

単結晶ニョウブ酸リチウム（LN / LiNbO3）のインゴット、ウェハ…

商品名：単結晶ニョウブ酸リチウム（LN / LiNbO3）サイズ：Φ２”、Φ３”、Φ４”、Φ６” 方位：指定可能厚み：250um、350um、500um、指定可能仕上げ：片面ミラー、両面ミラー、他数量：10枚～、量産対応可能製造：日本製、中国製 ...　同人産業は半導体材料の素材から加工まで一貫して提供できる専門企業です。サファイア、シリコン、炭化ケイ素（SiC）、GaN、...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

GaNテンプレート（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）

MoCVD法で製造したGaNテンプレート（GaN薄膜、GaN厚膜）をご…

サイズ：Φ2”、Φ3”、Φ4”、Φ6” GaNエピ膜厚み：3μm、4μm、指定可能結晶構造：GaN膜・オン・サファイア基板 転位密度≦ 5x106/ cm2 XRD：（002）≦ 250arsec、（102）≦300arsec 導電タイプ：N-type、P-type、Semi-Insulating 抵抗...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

プラズマ処理効果を「色で見える化」！セラミックタイプ

プラズマの処理強度や処理時間に応じて連続的に変色しますので、プラズマ処…

プラズマ処理効果の評価ツールとして、2014年の発売以来、お客様の用途に応じてラインアップを拡充してきた「PLAZMARK(R)」。このたびご要望の多かったウエハプロセス向け製品の第1弾として『PLAZMARK(R) "ウエハ型" セラミックタイプ』が登場！電子デバイスのエッチングやアッシングなど、ウエハプロセスの面内分布等の評価にご利用いただけます。【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サクラクレパス PI事業部

3インチ、4インチ、6インチに対応可能　「SOSウェーハ」

直径3インチ、4インチ、6インチのSOSウェーハ（シリコンオンサファイ…

SOSウェーハはサファイアのR面の基板上にシリコンをエピタキシャル成長させたウェーハです。圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。また放射線に対する耐性が高いのが特徴です。 3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能な場合がありますので是非お問い合わせください。エピ層のドーパン...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

ウエハケース（Wafer Case）

シリコンウエハ、サファイアウエハ、SiCウエハ、ガラス基板など各種基板…

■　商品名：ウエハケース/ウエハ容器/カセットケース/Wafer Case ■　サイズ：2インチ用、2.5インチ用、3インチ用、4インチ用、5インチ用、6インチ用、8インチ用、12インチ用 ■　種類：25枚入り、1枚入り（シングルケース）、洗浄用ケース、その他 ■　受注ロット：50個より（在庫品は10個からOKです）...ウエハケースは意外にコストが掛ります。弊社では2インチから12インチま...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

【資料DL可：FIB】FIBによるナノレベル高精度加工

FIB装置によりSi基板上に”マスクレス”でナノレベルの加工を狙った位…

FIB(Focused Ion Beam：集束イオンビーム)装置のエッチング加工でマスクレスで任意形状作成できます。この事例ではでは以下サイズで50nmステップ毎のピラー作製を紹介しています。・円形：φ5μm ・ピラーの高さ：700nm/650nm/600nm ・ピラーの径：φ500 nm ぜひPDF資料をご一読ください。また弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修...

メーカー・取り扱い企業：セイコーフューチャークリエーション株式会社

サファイアインゴット（Sapphire Ingot）

単結晶サファイアの結晶成長から切断、研削・研磨、特殊加工まで一貫して行…

弊社のサファイアインゴットは、中国の自社工場で生産している他、キロプロス製法を中心に協力工場からも調達しております。...■　素材：単結晶サファイア ■　製法：キロプロス（Kyropoulos） ■　原料：アルミナ99.996% ■　用途：基板用/LED基板、SOS基板、光学窓材、各種部品類 ■　直径：Φ1″、Φ1.5″、Φ2″、Φ2.5”、Φ3″、Φ4″、Φ4.5”、Φ6″、Φ8″、Φ1...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社