SONY製センサ採用　InGaAsカメラシリーズ

PR400～1700nmの近赤外線領域に高い感度を有するInGaAs(イン…

2021年6月より大幅なプライスダウンを実現！ UVC・カメラリンク接続タイプも新登場！大好評販売中です！ 【用途】 ◆シリコンウェハー観察 ◆製品パッケージなどの欠陥検査 ◆樹脂透過による内部の検査 ◆水分の検出 ◆美術品の検査 ◆異種材料の識別 ◆近赤外線ビームの観察、検査 ◆太陽光パネルのEL発光検査 【特長】 ◆高画素タイプの130万画素(1280×1024)タイプと32万画素(640×...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アートレイ

『ヒーターなど電熱製品』　京都電熱

PR特殊仕様、小ロットOK。長年培った知識・ノウハウを活かしコストダウンや…

当社では、各種ヒーターをはじめ、熱風発生機、熱風乾燥機、熱電対コネクタ、 温度調整器、各種断熱材など様々な電熱製品を設計・製作しています。 特殊仕様や小ロットにも対応OK。経験豊富なスタッフが コストダウンや分割納品など幅広い要望にお応えいたします。 ★取り扱い製品を一挙に紹介した「総合カタログ」を進呈中。 　“PDFダウンロード”よりすぐにご覧いただけます。 【ラインアッ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社京都電熱

レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　ValleyView Atom Z3740 Soc

Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス：最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分：NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づ...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）