リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

函館電子の技術紹介『Auスタッドバンプ加工』

PR少量加工に対応可能。実装面積を抑えられ、製品の小型化に貢献。正確・迅速…

当社は半導体製造で実績があり、IC一貫製造で培った技術をもとに 『Auスタッドバンプ加工』をはじめとした半導体の組み立て加工を手掛けています。 正確・高品質で、スピーディーかつリーズナブルな加工体制を実現しており 仕様や用途に合わせて条件出しを行った上で、少量品から対応できます。 【特長】 ■実装面積を小さく抑えられ、製品の小型化が可能 ■直径25μmの極小径加工が可能 ■パ...

メーカー・取り扱い企業： 函館電子株式会社

技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

分光エリプソメトリーは光の偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター