ダイオード | イプロスものづくり

PRPCベースの高電圧ケーブルテスターで、結線内容、不良内容をグラフィカル…

ケーブルテスター「HVX高電圧テストシステム」は、単純なケーブルから、複雑なハーネスケーブルまで、瞬時に検査が出来ます。 PCベースのケーブルテスターの為、結線状態を、グラフィカルに表示して、不良個所を的確に見つける事が出来ます。また、不良レポートもグラフィカルに出力する事が出来ます。高電圧テストではDC 10V～1500V, AC 10V～1000V(実効値)で選択でき、様々な漏れ電流の異...

メーカー・取り扱い企業：イーグローバレッジ株式会社ＭＩ本部

貼るだけで熱対策！薄くて軽い輻射放熱シート PAL-350A

PR貼るだけで熱対策！小型化・軽量化が求められる発熱部品や筐体の熱対策に貢…

熱伝導率の高いアルミフィルムに輻射率の高い放熱塗料をコーティングし、粘着加工した製品です。熱を赤外線等に変換し、放熱します。ヒートシンクと比べて非常に薄いため、スペースに限りがある場所の熱対策に適しています。【特長】 ■発熱体へ直接貼りつけることで輻射（ふくしゃ）放熱による熱拡散効果を付与 ■総厚が約110μｍ程と非常に薄い ■ふっ素樹脂を加えることで耐候性に優れる ■使用...

メーカー・取り扱い企業：中興化成工業株式会社本社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－　...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ESD(CDM)試験受託サービス

印加ピンの接触確認機能により確実に印加！直接チャージ法と電界誘導法にも…

要なデバイス帯電モデルのESDによる破壊に対する耐性を評価します。直接チャージ法(Direct CDM)、電界誘導法(Field Induced CDM)の両方に対応。また、ダイオード特性判定法、その他の特性評価による、破壊判定も可能です。(別装置を使用) 【特長】 ■各種規格条件JEDEC、JEITA(EIAJも可)、AECに対してユニット交換で対応 ■直接チ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ESD(HBM・MM)試験受託サービス

DUTボード作製から試験まで！ご要望や目的に応じた試験をご提案、実施致…

p：5V) ■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V～±2000V(Step：5V) ■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応 ■破壊判定方法：保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、　電源ピンの特性評価の4種類に対応 ■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応 ※詳しくは...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

海外製部品・製品評価サービス

海外製部品・製品の中には品質上問題のあるものも含まれています。これらに…

品評価例・部品調達・選定段階での信頼性評価・部品・製品メーカー間比較評価・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価 ■対応部品の例・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等）・受動部品（コンデンサ、抵抗、等）・LCD ・基板・電源等...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ESD（CDM）試験受託サービス

デバイス帯電モデル（Charged　Device　Model）のESD…

す。 ■ 直接チャージ法（Direct CDM）、電界誘導法（Field Induced CDM）　の両方に対応します。 ■印加ピンの接触状態の確認機能により確実に印加します。 ■ダイオード特性判定法による破壊判定対応も可能です。（要相談）...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ラッチアップ試験受託サービス

CMOS ICおよびそれを含む半導体製品のラッチアップ破壊に対する耐性…

■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC） ■電圧パルス印加法（AEC） ■ESDパルス印加法（参考試験） ■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式） ■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台）　　　　　　　　　多電...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

ESD（HBM・MM）試験受託サービス

半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD（静電気…

験（C=200pF、R=0Ω）　±5～±2000V（Step：5V） ■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等　多様な印加条件に対応します。 ■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス