• AXELENT フロアバリア 製品画像

    AXELENT フロアバリア

    PR【安全対策】工場・倉庫内の安全性向上に大活躍!足元の低い位置で発生する…

    アクセレントのX-Protect(エックス・プロテクト)衝撃保護システムに、フロアバリアが登場! 単体での設置も、同シリーズの他の製品と組み合わせての設置も、どちらも可能です。 X-Protectシリーズの組立はとても簡単! 支柱の間にレールをスライドさせるだけで、最低限の工具での設置が可能です。 またレイアウト変更や拡張が必要な際にも、モジュラー設計により、既存の構成を簡単に変更する...

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    メーカー・取り扱い企業: アクセレントジャパン株式会社

  • フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』 製品画像

    フレキシブル半導体製造装置『SHUTTLELINEシリーズ』

    PR薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応。多機能…

    『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、RIE/ICP-RIE、PECVD/ICP-CVDに対応し コンパクトながら高性能かつ多機能な半導体製造装置です。 成膜とエッチングプロセスを一台で実現し、様々なウエハサイズと形状に対応可能。 シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要です。 世界で広く採用されており、Plasma-Therm LLCの グ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 【資料】機械研磨法による加工ダメージ 製品画像

    【資料】機械研磨法による加工ダメージ

    研磨の仕上がりにご不満、疑問をお持ちの際は、アイテスにご相談ください!

    当資料は、機械研磨法による加工ダメージについてのご紹介をしています。 機械研磨は歴史の長い断面作製手法であり、断面作製領域が最大で数cmから 10cm程度と広範囲で断面を作製することが出来ます。 しかし、加工に伴う変質層...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • SiCデバイスの裏面発光解析 製品画像

    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

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