ダメージ | イプロスものづくり

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N2プラズマ　Visible Plasma

PRN2リモートプラズマ、N2ダイレクトプラズマ、コロナ、トーチプラズマを…

当製品は、従来のN2リモートプラズマとエアープラズマのハイブリッドタイプです。プラズマの発生を目視で確認可能。また、10mmまでの長距離照射が可能です。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。【特長】 ■コンパクトなヘッド構造 ■プラズマの発生を目視で確認可能 ■10mmまでの長距離照射が可能 ■低温の為熱ダメージを与えない ※詳しくはPDF...
メーカー・取り扱い企業：株式会社イトー
【電子部品加工】セラミック・ガラス等の切断・研磨・研削加工

PRセラミックやガラスなどの加工はお任せください！当社でご提供する切断加工…

株式会社ディー・アール・エス(DRS)では、セラミック・ガラス等の電子部品加工を行っております。ワークにダメージを与えずに高精度切断が可能な「マルチワイヤソー切断加工」や遊離砥粒及び固定砥粒による板状素材の両面、及び片面研磨を行う「ラッピング研磨加工」をご提供。また、高速回転主軸による「マシニングセンタ加工」も実施しております。【サービス内容(抜粋)】 ■切断...
メーカー・取り扱い企業：株式会社ディー・アール・エス（DRS)
【資料】機械研磨法による加工ダメージ

研磨の仕上がりにご不満、疑問をお持ちの際は、アイテスにご相談ください！

当資料は、機械研磨法による加工ダメージについてのご紹介をしています。機械研磨は歴史の長い断面作製手法であり、断面作製領域が最大で数cmから 10cm程度と広範囲で断面を作製することが出来ます。しかし、加工に伴う変質層...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
【分析事例】FIB低加速加工

FIB：集束イオンビーム加工

FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減す...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【良品解析事例】Agワイヤ使用ICのパッケージ開封

ダメージを抑えたパッケージ開封方法の開発により、ボンディング形状の観察…

Agワイヤ使用ICの樹脂除去においては、ワイヤの薬品ダメージが大きいことが問題となります。当社では、飽和法の原理を用い、ダメージを抑えたパッケージ開封方法の開発により、ボンディング形状の観察を可能といたしました。下記カタログでは、樹...

メーカー・取り扱い企業：ユーロフィンFQL株式会社
ドイツ diondo工業CT測定サービス-自動車鋳造部品

低価格・高精度・正確な非破壊検査 15万円～/1 検体

● 非破壊検査: サンプルに損傷を与えることなく内部構造を直接観察するため、サンプルへのダメージを大幅に軽減します。 ● 高解像度: 解像度はミクロンレベルに達し、金属材料の内部微細構造を表示できます。 ● 立体観察: 材料内部の 3 次元画像を取得して、内部構造を完全に反映する...

メーカー・取り扱い企業： ND GROUP 日本支社
ドイツ diondo工業CT測定サービス-金属材料

低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円～/1 検体

● 非破壊検査: サンプルに損傷を与えることなく内部構造を直接観察するため、サンプルへのダメージを大幅に軽減します。 ● 高解像度: 解像度はミクロンレベルに達し、金属材料の内部微細構造を表示できます。 ● 立体観察: 材料内部の 3 次元画像を取得して、内部構造を完全に反映する...

メーカー・取り扱い企業： ND GROUP 日本支社
SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の発光を検出。発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
皮膚常在菌など菌叢解析用の採取キット「メタフロキーパー（皮膚）」

採取した検体を保存液により常温で保管可能／スワブタイプで取り扱いが容易…

〇本キットでは、生理食塩水に浸された綿棒を皮膚上で回転させながら擦ることで皮膚常在菌を採取し、拭き取った綿棒を保存液に浸すことで、菌叢の変化を抑えます。〇粘着テープとは異なり、角質へのダメージも少なく採取可能です。〇検体を採取したキットを当社宛にご送付いただければ、菌叢解析（アンプリコンシーケンス解析）の受託解析も利用できます。使用方法などについて、お気軽にお問い合わせ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社テクノスルガ・ラボ
［AFM］原子間力顕微鏡法

ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。・金属・半導体・酸化物など、絶縁体から軟質の有機物まで幅広い試料を測定可能・接触圧力が弱いタッピングモードを用いることで、試料ダメージを最小限に抑えることが可能...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで、有機付着物由来のCの影響を低減させた例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】毛髪の三次元構造解析

X線CTと画像解析技術により、毛髪の定量評価が可能です

ヘアカラーや紫外線、加齢などの影響によりダメージを受けた毛髪は構造変化が起こっており、これらの構造変化を計測することはヘアケア製品の研究開発に重要です。本事例では、X線CTを用いて毛髪の構造を観察しました。さらに、得られたCT断面像を画像解...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】高分子表面のイオン照射による損傷層の評価

GCIB（Arクラスター）を用いることで損傷層の成分・厚さ評価が可能

とは、効率的な研究・開発に重要です。 TOF-SIMS分析では、スパッタイオンビームにGCIB（Gas Cluster Ion Beam）を用いることで、高分子材料表面のイオン照射による損傷層（ダメージ層）の成分・厚さを評価することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】リチウムイオン二次電池　Si負極の評価

サンプル冷却により充電後のSi負極の構造を評価可能

回、充電後のSi負極の状態を確認するために、雰囲気制御環境下で解体して冷却FIB加工を行い、SEMにて断面形状を観察しました。室温で断面観察を行った場合は、膜の収縮・観察面の荒れ・孔発生等の大きなダメージが見られる一方で、冷却しながら観察を行うことでSi負極の変質を抑えて試料本来の形状を評価できました。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】高分子フィルムの多層構造の解析

GCIBを用いた低ダメージスパッタリングで多層フィルムの層構造を明瞭に…

フィルムの機能性は素材・厚み・層構造等で決まることが知られています。今回は食品用ラップフィルムとして一般的に用いられるポリエチレン系多層フィルムの層構造を評価しました。 FT-IRで主にポリエチレンで構成されていることを確認したフィルムに対し、GCIB（Arクラスター）をスパッタに用い、TOF-SIMSで深さ方向に測定することで、10μmの厚みの中でポリエチレンとナイロン6とが積層されてい...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】バンプの広域断面観察

イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ（界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など）が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られま...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】AESの異物分析における注意点

AES：オージェ電子分光法

AES分析では、微小異物の最表面の元素組成評価を行うことが可能なため、微小領域における異物分析に有用です。しかし、電子線等のダメージの影響により異物が変化したり消失してしまう可能性があります。特に、ハロゲン元素等を含む場合は、その影響を強く受けてしまうことがあり注意が必要です。SEM観察時やAES測定時に異物が消失してしま...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
液圧試験設備を用いた疲労試験・破裂試験

自動車およびその周辺分野を含めた様々なニーズにお応えし、委託試験・研究…

力容器等の破壊試験（耐圧試験、破裂試験） ●圧力容器等の疲労試験（圧力サイクル試験、加速応力試験） ●大型恒温槽を使用した供試体の温度サイクル試験 ●圧力容器の落下試験、振り子衝撃試験、表面ダメージ試験など試験設備や委託試験に関しましてお気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人日本自動車研究所
金属・導電性繊維の大気圧プラズマ処理サービス

金属の表面にも大気圧プラズマを照射することができる金属・導電性繊維の大…

をご提供しております。針の先端やエッジなどをプラズマ処理することや、金属や導電性の素材表面であっても、放電損傷を与えることなくプラズマ処理することができます。【特長】 ■ダメージフリープラズマなので、放電痕が生じない ■塗装やコーティングと強く化学結合させることが可能 ■金属や導電性繊維などの導電体にも大気圧プラズマを連続処理が可能 ■金属線材や炭素繊維などの長尺物...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サンライン
【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

は、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST