• 各ランプの光量制御で待機電力削減に貢献!『電子点灯UV照射装置』 製品画像

    各ランプの光量制御で待機電力削減に貢献!『電子点灯UV照射装置』

    PR【省エネ・電力削減】 各ランプ毎に光量調節が可能で10Aタイプの国産及…

    ADPECが提供する電子点灯式UV照射装置は、従来のトランス式の電源を登載したUV照射装置を進化させ、 電子制御方式の電源ユニットを搭載した新UV照射装置です。 本製品はUVランプの調光が可能となり、その範囲は最大10%~100%となっておりますので、 塗装ラインの始動時やセット替え時は10~20%近辺で点灯する事により、待機電力の大幅な削減が可能となります。 また、ランプを複数本...

    • UV10.png
    • 三灯UV固化机-2.jpg
    • PHE01 (1) (3).png
    • UV.png
    • UVハウスカバー.png
    • ランプユニット01.png

    メーカー・取り扱い企業: J-one(株式会社アドペック/ヤマシン技研株式会社)

  • 特殊仕様対応LED直管ランプ『IFLシリーズ』 製品画像

    特殊仕様対応LED直管ランプ『IFLシリーズ』

    PR防滴(防水)仕様可能なLED直管ランプ!特殊サイズはお問い合わせくださ…

    『IFLシリーズ』は、力率改善、位相調光が可能な特殊仕様対応 LED直管ランプです。 口金はG13, R17dで、片側給電、非常灯に対応可能。 10, 15, 20, 32, 40, 110型をご用意しています。 防虫チューブ(紫外線カット)となっており、防滴(防水)仕様が可能です。 DC仕様、外部電源、回転口金など、特殊対応は別途、お問い合わせください。 【特長】 ■片...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社カネヒロデンシ

  • フラッシュランプアニーリング装置 FLA 製品画像

    フラッシュランプアニーリング装置 FLA

    半導体など各種材料に!数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可…

    フラッシュランプアニーリング装置 FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニー...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社マツボー

  • DLI-CVD/DLI-ALD装置『MC-050』 製品画像

    DLI-CVD/DLI-ALD装置『MC-050』

    ランプ加熱式の為にRTP、RTCVD処理可能!クオーツ製チューブ型チャ…

    『MC-050』は、最大50mm径基板対応のDLI-CVD/DLI-ALD装置です。 最大成膜温度は1100℃(ランプ加熱方式)で、最大6×DLI気化器を搭載可能。 また、マスフローコントローラーは最大8、ターボポンプ搭載可能です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大5...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ

  • RTP装置『AS-Premium』 製品画像

    RTP装置『AS-Premium』

    最大156mm×156mm基板対応!真空又は大気搬送装置及びロードロッ…

    『AS-Premium』は、大気・真空下プロセスに対応しているRTP装置です。 アニール処理後急速冷却機構(上部ランプ加熱式のみ)で、 低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメーターとなっております。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■最大156mm×156mm基板対...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ

  • 各種成膜・アニール装置 製品画像

    各種成膜・アニール装置

    ニーズに合わせたラインアップ!成膜装置や、ランプ加熱によるアニール装置

    大村技研では、お客様のニーズに合わせて、成膜装置や ランプ加熱によるアニール装置を設計・製作します。 縦型LP-CVD装置、縦型アニール装置、PE-CVD装置、 MO-CVD装置をラインアップしています。 【特長】 ■ニーズに合わせた設計...

    メーカー・取り扱い企業: 大村技研株式会社

  • 加圧RTA装置 製品画像

    加圧RTA装置

    基板加熱温度最高1000℃!基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減!

    『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス(0.9MPaG)まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、...

    メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社

  • RTP装置『AS-Master 200』 製品画像

    RTP装置『AS-Master 200』

    ターボポンプ搭載可能!低温(1100℃)/高温(1300℃)パイロメー…

    『AS-Master 200』は、アニール処理後急速冷却機構のRTP装置です。 最大200mm径基板対応(基板上部ランプ加熱式)しており、 真空又は大気搬送装置及びロードロック搭載可能。 また、大気・真空下プロセスに対応しており、ターボポンプ搭載可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ

  • RTP装置『AS-One 100/150』 製品画像

    RTP装置『AS-One 100/150』

    アニール処理後急速冷却機構!Annealsys社の高速熱処理装置をご紹…

    【仕様】 ■AS-One 100 ・最大100mm径基板対応 ・最大温度:1450℃(基板上部ランプ加熱式) ・最大昇温レート:200℃/秒 ・低温(1100℃)/高温(1450℃)パイロメーター ■AS-One 150 ・最大150mm径基板対応 ・最大温度:1300℃(基板上部ラン...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイテック・システムズ

  • アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』 製品画像

    アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

    Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

    、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • セントロサーム 超高温バルクアニール炉 製品画像

    セントロサーム 超高温バルクアニール炉

    超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハ…

    セントロサーム(正式名centrotherm international AG)は、1958年に設立された熱処理炉専門の世界的メーカーです。真空リフロー炉はじめ、拡散炉・LPCVD・高速ランプアニール炉など豊富なラインナップを取り揃えており、太陽電池や半導体分野の熱処理工程に貢献しています。 日本国内では、2006年から伯東株式会社が総代理店として同社製品の販売と保守サービスを担って...

    メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社

  • 光焼成装置『PulseForge』【瞬間的に加熱、 乾燥、焼成】 製品画像

    光焼成装置『PulseForge』【瞬間的に加熱、 乾燥、焼成】

    耐熱性が低い基板でもダメージなく、表面部だけを乾燥、焼成する光焼成装置…

    『PulseForge』は、独自開発の高出力キセノンランプの照射光を精密制御することで、材料の表面のみを瞬間的に加熱し、乾燥、焼成させる装置です。材料の速乾、伝導性・密着性の改善にも効果があり、高出力・短パルス照射にて、耐熱性が低い基板でもダメージなく、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社日立ハイテク

  • ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 製品画像

    ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

    Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

    、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • RTA装置 製品画像

    RTA装置

    トレイ搬送にも対応可能!優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現

    【仕様】 ■基板サイズ:最大φ12インチ ■反応ガス:O2、N2、H2O(オプション) ■基板加熱温度:最高1000℃(基板表面) ■加熱源:ハロゲンランプ ■昇温レート:最大150℃/sec ■真空排気:DP ■制御操作  ・制御:PLC  ・操作:タッチパネルまたはPC ■データロギング:外部メモリまたはPC ■基板搬送:大気搬送ロ...

    メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社

1〜12 件 / 全 12 件
表示件数
30件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • 4校_0513_tsubakimoto_300_300_226979.jpg
  • 修正デザイン2_355337.png

PR