高密度実装、高放熱を実現。銅インレイ基板で新たな可能性へ

PRIoT時代を支える新しい基板の放熱対策に銅インレイ基板、金属ベース基板…

三和電子サーキットの放熱基板で熱のお悩みを解決致します。 5G等のIoT機器では、部品の発熱量が増加していますが、高密度化によりファンレス構造が求められる等 限られたエリアでの放熱特性への対応が求められおります。 LED照明も輝度の増加に伴い発熱量も多くなっており、効率よく熱を逃がす必要があります。 また、限られたスペースへの組み込み、デザイン性を持たせて形状への対応が求められてきているます。 ...

メーカー・取り扱い企業： 三和電子サーキット株式会社

【セラミックパッケージ】白金電極採用HTCC基板の用途とメリット

PR車載センサ、MEMSなど各種セラミックパッケージ向けに当社のHTCC基…

当社のHTCC基板は化学的に非常に安定で酸化しにくい白金電極を採用しており、メッキ処理不要、高温などの厳しい環境下でも使用可能なセラミック回路基板です。 また、機械的強度が高く欠けにくい、放熱性が高く熱を逃がしやすいという特長から小型パッケージ部品や医療・ヘルスケア用途に好適です。 【特長】 ・メッキ処理不要(メッキレス)で環境配慮(SDGs)およびコスト削減 ・触媒効果により性能UP...

メーカー・取り扱い企業： ニッコー株式会社 機能性セラミック商品事業部

［SSDP用加工］基板側からの測定用加工

基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

凹凸、イオン照射により表面側に存在する原子が奥側に押し込まれるノックオン効果やクレーター底面粗れ等の現象により、急峻な元素分布を得られない場合があります。この問題を解決するために、薄片化加工を行った基板側（裏面側）からSIMS分析を行うのがSSDP法（Back-Side SIMS法）です。この手法により、試料形状や測定条件に起因する影響を受けることなく、より正確な元素分布評価が可能になります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品 分析目的：微...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Arイオンミリング加工

機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

1．貼り合わせ サンプル同士もしくは支持基板とを接着剤で貼り合わせます。 2．切断 数mmの厚みで切り出します。 3．研磨 機械研磨を行い、貼り合わせ界面が中心になるように薄くします。 4．Arイオンミリング 低加速A...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST