窒化ホウ素(BN)

PR焼結体と粉末、豊富なグレードを用意！短納期、低価格で安定供給します。新…

三和マテリアルの『窒化ホウ素(BN)』は、お客様のご要望(使用条件、 形状等)に応じて、高品質・短納期・低価格・安定供給でお届けいたします。 耐熱性・離型性・絶縁性に優れる「焼結体」と「粉末」をラインアップ。 豊富な実績と信頼のある“窒化物セラミックスのプロ集団”である当社に ぜひご相談ください。 【特長】 ■熱的特性：高熱伝導率、低熱膨張係数で高温での使用が可能 ■電気...

メーカー・取り扱い企業： 三和マテリアル株式会社 本社

ギ酸還元対応　卓上型真空リフロー装置『VSS-450-300』

PR課題解決事例を進呈中！ギ酸還元でボイドレス・フラックス残渣ゼロの高信頼…

『VSS-450-300』は、はんだリフローや酸化還元処理の他、ペーストの 焼結など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応した 卓上型真空はんだリフロー装置です。 有効加熱エリアは300×300×50mmですので、高さのある部品実装にも 余裕で対応することができます。 【特長】 ■フラックスレスはんだ（還元方式）・フラックス入りはんだ両対応 ■卓上型サイズながら、最大到達温度...

メーカー・取り扱い企業： ユニテンプジャパン株式会社

銀シンタリング装置　『シンタースター』

均一加熱・均一加圧が可能なシンター装置！温度・時間・加圧を正確に制御可…

『シンタースター』は、独自のダイナミックインサート技術により銀シンタリング（Ag焼結）する装置です。均一加熱と均一加圧を実現します。 正確な温度・時間・加圧の制御が可能。 温度の変化はリアルタイムにグラフ化されます。 パワーモジュールやマルチデバイス等の製造に貢献しま...

メーカー・取り扱い企業： アルファエレクトロニクス株式会社

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下18本のIR (赤外）ヒーターで、正...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

バッチ式真空半田付装置（フラックスレスリフロー　真空リフロー）

パワーモジュールからウェハバンプまでフラックスレス・ボイドレスリフロー…

を実現。 立上・処理・メンテナンス含め短タクト処理を実現。 パワーモジュール半田付だけで無くウェハバンプリフロー、リペア、ＭＥＭＳデバイス封止工程等各種接合工程に幅広い実績。 ナノ金属ペースト焼結接合工程にも実績と柔軟で積極的な試作対応 【展示会概要】＜ネプコン・ジャパン 2020＞ 出展：第34回 ネプコン・ジャパンーエレクトロニクス 開発・実装展 日時：1月15日(水)～17(...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200

金属の焼結にも使える最大昇温速度600K/min.の超高速昇温対応モデ…

『RSO-200』は、最高0.01%のボイドフリーを可能にし、フラックスレスや 鉛フリーへの課題解決に好適な、卓上型真空はんだリフロー装置です。 接合する金属表面の酸化膜除去に”水素還元”の他、「ギ酸還元」に対応。 ギ酸の強力な還元作用で、フラックス無しでも濡れ性の向上を実現します。 また、業界最小クラスのコンパクト設計ながら、さまざまな試作開発に 対応する機能と性能を一台に凝縮...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

チ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外）ヒーターで、正確な...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外）ヒーターで、正...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社