特長 | イプロスものづくり

絞り込み条件

製品分類

メーカー・取扱い企業

特長的な基板にも対応可能な！3D局所加熱のIHはんだ付け装置

PR大きな熱量の出力も可能なため幅広い基板に"1台"で…

『S-WAVE301H』は、大きな熱量を要するプリント基板をスポット加熱する製品です。バスパー、パワー半導体、4層基板、高多層基板、厚銅基板、セラミック基板、金属ベース基板といった特長的な基板にも対応可能。低消費電力、高い加熱効率などの特長はそのままです。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。【特長】 ■低消費電力、高い加熱効率 ■大きな熱量を要...

メーカー・取り扱い企業：株式会社富山技販
5軸用セルフセンタリングバイス／ゼロポイントシステム

PR高精度かつ、低コストを実現！初の日本販売！片側に1.5°スイングする口…

当製品は、片側に1.5°スイングする口金を採用し、グリップ力が非常に向上したセルフセンタリングバイスです。 LANG社、HWR社、5th Axis社の52＆96システムと互換性がある「ゼロ・ポイント・システム」を採用しております。直接テーブルに設置できる溝とクランプエッジ付き。【セルフセンタリングバイス　特長】 ■口金は、簡単に180度反転して入れ替えることができ、クランプ範囲を　...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ファーステック
逆導通IGBT『600 V RC-D2』

低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提…

幅広い低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・性能基準といった特長を持つ製品です。【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップ...
メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
RF パワートランジスタ

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、…

ジスタのマーケットにおいて最高級品質の製品を目指しております。 MIL-Q-9858、MIL-I-45208、およびISO 9001：2000取得。高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに適しています。【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ...

メーカー・取り扱い企業：アスコット株式会社
モジュール『WF101JSYAHMNB0』

CTP付！ILI2511を内蔵しUSB、I2Cインターフェイスに対応し…

式タッチパネル及び高輝度タイプもラインアップ。 EK79007AD3とEK73217BCGAドライバICを内蔵し、 4-レーン MIPI DSIインターフェイスをサポート致します。【特長】 ■モジュールサイズ：235×142×8.78mm ■LCDタイプ：TFT・ノーマリ・ブラック・透過型 ■バックライト：LED・ノーマリ・ホワイト ■ILI2511を内蔵しUSB、I2Cイ...

メーカー・取り扱い企業：グローバル電子株式会社
トランジスター電源『TMS-4/TMS-4 RA(2CH)』

短時間で微細な溶着制御を必要とする接合に好適！被溶接物の性質に応じた波…

供給が可能。出力電圧をフィードバックし、トランジスタ素子によるスイッチング制御動作により、自由な溶接波形を作り出す事ができ、被溶接物の性質に応じた波形を簡単に作り出せます。【特長】 ■定電流/定電流を選択できる ■溶接物に合った制御方法で使用可能 ■使用率をアップできる(RA) ■被溶接物の性質に応じた波形を簡単に作り出せる ※詳しくはPDF資料をご覧いただく...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ブロステック
トランジスタ式高周波発振機

環境にも配慮しトランジスター式は従来比約30％の省エネルギーが可能！

信頼性の高いドライブ制御技術で幅広い負荷変動に対応。回路構成はサイリスターとダイオードにより安定した直流電圧に変換後に、フルブリッジインバーターにて高周波電力を出力します。【特長】 ■出力調整は直流電圧の制御にて行う ■サイリスターの位相制御を採用し、出力を広範囲に自由に選択可能 ■並列共振型自励式発振方式を採用 ■加熱中の負荷インピーダンス変化に対応して瞬時に自動...

メーカー・取り扱い企業：日本サーモニクス株式会社
トランジスタ(SiC式)高周波発振機

IGBTと比べ、耐久性アップ！高速スイッチング(従来の5倍)により高い…

ます。従来体(IGBT)に比べ、電力損失を約60％も削減、効率よく稼働する事が可能。又、軽量化、冷却機構の小型化による高周波発振機本体もコンパクトになっております。【特長】 ■IGBTと比べ、耐久性アップ ■高速スイッチング(従来の5倍)により高い周波数に対応 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：日本サーモニクス株式会社
高周波デバイス対応フッ素系低誘電性樹脂『AL-X』

AL-Xは主に高周波・パワー半導体用材料として、極めて優れた低誘電特性…

ポリイミド、エポキシ樹脂より低誘電特性に優れた樹脂です。【特長】 ●電気的特性　低誘電率・低誘電損失の材料です。　 ●機械的特性　高い伸度と低いヤング率を有しております。 ●感光特性　　溶媒現像ネガ型の材料で高い解像度を有しております。 ●低温硬化　　...
メーカー・取り扱い企業：ＡＧＣ株式会社化学品カンパニー
SWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）

パッケージの種類も豊富！1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

ジをラインアップしています。製品群一覧と特性の資料を下記よりダウンロード頂けます。発光側のみならず、広範囲の検出が可能なInGaAs PD、受発光一体型デバイスも取り扱っております。【特長】 ■動作電流は20mA～350mAをラインアップ ■3,000nmを超えるものが必要な場合、カスタムでの対応も可能 ■シリコンウェハの検査など半導体の分野においても需要が高まっている ■製品検査、...
メーカー・取り扱い企業：株式会社理経
パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

べてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

圧を実現し、広範囲の電圧と高いスイッチング周波数に対応。デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

ートドライバーとコントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

は、デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

あり、さらにガルウィングリードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能とシステム全体の効率化が可能です。【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピンパッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳し...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

GaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップを搭載。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップを搭載。電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワーMOSFET『StrongIRFET 2』＜産業機器向け＞

多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周…

FET技術で、低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な選択肢を提供します。【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

ンで使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。【特長】 ■非常に低いCiSSおよびCOSS ■非常に低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：0.73mm×0.64mm ■超薄型プロファイル：最大高0.35mm ■鉛およびハロゲン不使用...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
【技術紹介】半導体リードフレームディンプル加工

ダイオードなど豊富な製作実績！様々なリードフレームを高精度・高品質に量…

ル加工を、フレームの表裏面、任意の箇所に施すことが可能。ご希望の箇所、フレームの形状などをご教示頂けましたら、当社で対応可能か技術検討承りますので、お気軽にお申し付けください。【特長】 ■スタンピング金型にてリードフレームを生産 ■リードフレームと樹脂との密着性を向上させるために採用される　ディンプル加工を、フレームの表裏面、任意の箇所に施すことが可能 ■金型の設計・...

メーカー・取り扱い企業：ローム・メカテック株式会社
OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

ため、高効率な設計ができ、熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にもつながります。インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
窒化ガリウム次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

9001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-2...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
広帯域半導体光増幅器『λ-Amp 1040』

1W出力の1μm帯広帯域光増幅器！SOAならではの高い安定性とスペクト…

利得帯域を有し、すべての波長帯域で50%以上のPM-Fiberカップリングを得ることが可能です。ファイバアンプに比べて安定かつスペクトル純度も高く、精密な分光計測等において力を発揮します。【特長】 ■増幅帯域：900nm帯（920nm~1000nm)、1um帯（980nm~1085nm） ■最大出力：1W（フリースペース）、500mW（PM-Fiber端）...

メーカー・取り扱い企業：スペクトラ・クエスト・ラボ株式会社本社
ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！

ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に　ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレ...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社
高圧アーク電源『ARMS-5』

アップダウンスロープ等の設定が可能！小型で高性能な高圧アーク電源をご紹…

。また、電源のフィードバックはμsecで動作する為、溶接エネルギーを短時間かつスムーズに立ち上げる事ができ、1msec以内での通電時間でも安定したエネルギー供給が可能です。【特長】 ■被溶接物の性質に応じた波形を簡単に作り出せる ■溶接エネルギーを短時間かつスムーズに立ち上げる事が可能 ■1msec以内での通電時間でも安定したエネルギー供給が可能 ■アップダウンスロ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ブロステック
ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
大電流、高耐圧MOSFET

高速スイッチングが可能！大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介！

ータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、　ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社
スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーショ…

【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性　など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせくださ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社