• 太陽電池の最大電力点で動作「MPPT負荷装置」シリーズ 製品画像

    太陽電池の最大電力点で動作「MPPT負荷装置」シリーズ

    PR独自MPPT制御機能を採用し、様々な太陽光の照度・角度・温度条件で最大…

    太陽電池モジュールの最大動作点(Pmax)で追従する装置です。 太陽電池の発電性能を評価するには、太陽電池を実際に発電状態にする必要があります。負荷を接続しないと電流は流れませんので、発電性能を計測できません。 本装置は太陽電池を接続することで、その出力電力を内部で熱に変換することにより消費します。最低限の計測環境を構築するだけで太陽電池の発電量計測が可能です(本装置内で毎秒電圧・電流・電力を...

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    メーカー・取り扱い企業: 日本カーネルシステム株式会社 本社

  • 高い技術力によるスイッチング電源用高周波トランス 製品画像

    高い技術力によるスイッチング電源用高周波トランス

    PRカスタム品で自動化による低コストを実現!

    「スイッチング電源用トランス」とは、半導体デバイスとともに スイッチング電源の性能を左右する重要な電子デバイスであり、その性能が電源の高性能化に与える影響は非常に大きいです。 そのトランスの性能を左右するのが、そこに使われている磁性材料で 一般的にはフェライト(鉄粉)磁性材料といわれるものです。 スイッチング電源用トランスは小型化、低コスト化の特長から インバーターエアコンやDVDプレーヤー、...

    メーカー・取り扱い企業: 大阪高波株式会社

  • ラッチアップ試験受託サービス 製品画像

    ラッチアップ試験受託サービス

    CMOS ICおよびそれを含む半導体製品のラッチアップ破壊に対する耐性…

    ■電流パルス印加法(JEDEC・JEITA・AEC) ■電源過電圧法(JEDEC・JEITA・AEC) ■電圧パルス印加法(AEC) ■ESDパルス印加法(参考試験) ■ラッチアップ判定法(JEDEC方式・電流定義方式) ■試験前後の保護ダイオード特性測定...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 高温ラッチアップ試験 製品画像

    高温ラッチアップ試験

    高温状態での動作が要求されるデバイスに!高温でのラッチアップ試験をご紹…

    温状態での動作が要求されるデバイスでは、高温での ラッチアップ試験が推奨されています。 【ラッチアップ試験の主要規格(抜粋)】 ■JEDEC(JESD78E) ・電流パルス印加法、電源過電圧印加法 ・ClassI:室温、ClassII:最大使用周囲温度 ■JEITA{JEITA ED4701/302(試験方法306B)} ・電流パルス印加法、電源過電圧印加法 ・ClassI:室...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像

    ESD(CDM)試験受託サービス

    印加ピンの接触確認機能により確実に印加!直接チャージ法と電界誘導法にも…

    【装置仕様】 ■印加(充電)電圧:0~±4000V ■ステップ電圧:5V ■印加回数:1~99回 ■ピン数:最大1024ピン ■印加ユニット:JEDEC、JEITA、EIAJ、AEC ■チャージ方法  ・D-CDM(直...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 発熱解析による電子部品の故障箇所特定 製品画像

    発熱解析による電子部品の故障箇所特定

    故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能!高精度な発熱箇…

    発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み 製品画像

    EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

    「SEM像」や「吸収電流像(電流センス)」など!配線のオープン不良、高…

    ております。 『EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • パワーデバイスの故障解析 製品画像

    パワーデバイスの故障解析

    ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

    IRCH解析・裏面エミッション解析-  IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • パワーデバイスのHAST試験 製品画像

    パワーデバイスのHAST試験

    パワーデバイスに対して高温・高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能!…

    【仕様】  試験電圧 :最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン・保護抵抗110kΩ)  試験数量 :最大30個 (正極側)  対応モジュール :TO-247、TO-220 等 (その他のパッケージは要相...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像

    ESD(CDM)試験受託サービス

    デバイス帯電モデル(Charged Device Model)のESD…

    ■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ ■最大 1024ピン まで対応します。 ■プローブ移動精度:0.1mm ■印加ユニット:JEDEC(JESD22-C101F)、JEITA、EIAJ、A...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • TEMによる電子部品・材料の解析 製品画像

    TEMによる電子部品・材料の解析

    TEM(透過型電子顕微鏡)は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析…

    ■エミッション発光にて特定した故障部位は  FIBにより薄片化しながら観察します。 ■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて  故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し  最適な像を得ることができます。 ■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき  2%以下の誤差...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

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