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PR【新入社員の方必見】組み込みシステム向けのメモリICにの基礎知識に関す…
ウィンボンド・エレクトロニクスは、 台湾に本社を構えるメモリメーカーです。 ただいま、当社技術者が監修した、約70ページにわたる メモリICに関するホワイトペーパーを配布しています。 【掲載概要】 第1部 メモリの基礎知識 「用途や種類…メモリICの世界へようこそ」 第2部 DRAM 「基礎知識」、「外部インターフェース」、「DDR-SDRAMの種類」、 「低消費電...
メーカー・取り扱い企業: ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
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PR7m3容器に取り付けてもボンベ外周からはみ出さない コンパクトな圧力調…
● 徹底的に構造を省スペース化し、取り付けた状態で7m3ボンベ直径内に収まるサイズを実現 ● ボンベ直径内に収まったことで不意の接触事故のリスクを軽減 ● ボンベ置き場が狭小の場合や小型のボンベでの使用に好適 ● 従来製品(CMH-B516-RM)に比べて専有容積48.7%減※ ● 圧力調整ハンドルは抗菌・抗ウイルス仕様で衛生的 ● 特許出願済(出願番号:特願2022-110568) ※それぞれの...
メーカー・取り扱い企業: 日酸TANAKA株式会社 産業機器事業部
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クリップボンダ パワー半導体向けダイボンダ チップ及びクリップ接合、…
だコーティングされたチップの接合 及びリボンはんだによるリードチップの接合 ■チップサイズ □1.0~6.0mm ■リードチップサイズ 8.5x2.5mm, 8.5x3.5mmなど ■ボンド精度(XY) +/-150μm ■ボンド精度(Θ) +/-5° ■ボンド/ピック荷重 40~200gf ■対応ワーク リードフレーム ■対応幅 最大30mmまで ■チップ/リード供給 パ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクサス
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短冊フレーム用ダイボンダ エポキシ、DAF両方に対応可、速乾性ペースト…
イボンダ『EBD4350S』は、 速乾性ペーストに対応したエポキシダイボンダです。 【仕様】 ■接合プロセス エポキシ/DAF/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~3.0mm ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクサス
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フープフレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可(兼用仕様可)小…
0R』 0.15mm~からの小チップも対応可能です。 【仕様】 ■接合プロセス共晶/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ□0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅最大78mmまで ■ウェハサイ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクサス
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短冊フレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可、兼用仕様も可。小…
の小チップも対応可能 安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス 共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクサス
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パワー半導体向けフラックスレス半田ダイボンダ(糸はんだ) オプショ…
最大幅100mmのPower QFNなど多列ワークに対応しています。 【仕様】 ■接合プロセス糸はんだ塗布 ■チップサイズ □1.0~6.0mm ~10.0mm(オプション) ■ボンド精度(XY) +/-50μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワークは、リードフレーム又は、キャリア ■対応幅最大100mmまで ■ウェハサイ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクサス
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