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PRボタン1つで簡単に電力設備周りの磁界を高精度で測定でき、軽量かつ片手で…
3次元磁界測定器TMM-3は、電力設備等から発生する磁界の強度を計測できるポータブル測定器です。電気設備に関する技術基準を定める省令では、JISに適合した測定器で測定することを要求しています。そのJIS規格が、2017年にJIS C 1910-1に置き換えられたこと受け、新JISに対応するTMM-3を開発しました。2024年内に販売予定です。 このような方にオススメです! ・電気設備を法令...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社電力テクノシステムズ
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品質管理・保守向け。1から学ぶ計測器・測定器の『校正 基礎知識』
PR今更聞けない「校正の基礎」を解説。校正とは?成立条件?なぜ必要?トレー…
「ものづくり」の品質管理には、それに関わる機器の”校正”が必須です。 では、そもそも校正とは何?成立条件は?資格や校正周期は?トレーサビリティって何?など、 意味やルールを正しく理解していないと、正しい「校正」はできません。 ここでは「ものづくり」で避けて通れない「校正」についてまとめた資料を進呈中です。 後半では温湿度計・板厚計の校正事例や、校正や計測・測定関連の基礎用語も掲載しています。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社レックス
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
てはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
FMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です
傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに、測定例としてCu表面を観察した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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デバイス内部の異常を非破壊で評価します
外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイヤーの断線が確認された他、断線時の熱などの影響で断線したワイヤーの周囲のモールド樹脂が変性していることも分かりました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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