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52件 - メーカー・取り扱い企業
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10件 - カタログ
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当社のリレー テスターのラインアップをご紹介！特長や適用などを掲載
当社の『シグナル、MEMS、MOSFET、リレー テスター』をご紹介いたします。 最大1000ch分のデバイスのバーンイン処理が可能な「MEMSバーンインテスター」 をはじめ、4aアレイ品に対応した「MOSFETリレーテスター...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社松浦電弘社
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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感電から身を守る高電圧試験環境
九州工業大学の大村先生による、 「パワーデバイス評価実験時、学生の安全を何よりも優先して、試験環境を整えたい」という想いから生まれた高電圧試験ボックス。...IGBTやパワーMOS FET、ダイオード、トランジスタなどの各種半導体における、 ⾼電圧実験を安全に⾏うための試験環境です。 インターロック機構による100V以上での充電中ロックや、 ⾼電圧に対応可能な電解コンデンサに対応する放電機...
メーカー・取り扱い企業： 九州計測器株式会社
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中低電圧MOSFETの世界市場レポート YH Research
『無料サンプル』を入手可能！ 関連リンクから詳細をご覧になり、直接お申…
YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバル中低電圧MOSFETのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2023」を12月5日に発行しました。本レポートでは、中低電圧MOSFET市場の製品定義、分類、用途、企業、産業チェーン構造に関する情報を提供します。ま...
メーカー・取り扱い企業： YH Research株式会社
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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価
市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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RECOM社が提案する評価ボードとリファレンスデザイン
ートアイテムとして評価ボードや リファレンスデザインの提供をしております。 対象となるアプリケーションは低消費電力IoTアプリケーション、 ハイパワーIGBT、第一及び第二世代SiC MOSFET、GaN MOSFET等 多岐に渡ります。 ＊詳細に関しましては下記ファイルをご参照下さい。 ＊資料をダウンロード頂きました会員の...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経
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I2Cバスを使用し、パラメータ調整、状態監視、フォールトフィードバック…
『EVAL-1ED3890MX12M』は、ゲートドライバーICを2つ搭載したハーフブリッジ構成で、 Si MOSFETやIGBT、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。 スイッチの種類は自由に選択可能。ボードサイズは、電源スイッチを 取り付けていない状態で85×85×15mmです。 ...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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スイッチングデバイスにおける寄生ターンオンを回避！2段階のスルーレート…
式の評価を行う事ができ、 スイッチの種類は自由に選択可能。 ゲートドライバーICを追加することで、高電圧側からロジック制御部へ 超高速の過電流フィードバック信号が送信できる為、SiC MOSFETの使用を 実現しています。 【特長】 ■ユニポーラまたはバイポーラの広い電源電圧範囲で動作 ■EiceDRIVER 2L-SRC小型シングルチャネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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対応するEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードとの併用でプ…
『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER絶縁型ゲート ドライバ評価ボードに電源を供給するために開発された標準の電源ボードです。 MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている様々な 評価ボードに対応。 産業用モータドライブをはじめ、業務用空調機器やEV充電、蓄電システム等の アプリケーション...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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アイソレートゲートドライバー評価ボードEVAL-PSIR2085
使いやすい電源ボード、2つの絶縁された電源！プラグ＆プレイで使用可能
『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER 絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために 開発された標準の電源ボードです。 MOSFET,IGBT,SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている 様々なEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに対応します。 【特長】 ■2つの絶縁された電源 ■ゲート...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、Si...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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絶縁型USBデジタルI / Oモジュール
30) / 8(USB-7250) ■光絶縁型周波数/イベント·カウンタ チャンネル数: 2 ■光絶縁型出力 チャンネル数: 16 出力タイプ: Open drain MOSFET 電源電圧: 5-35VDC ■一般仕様 インターフェース: High speed USB 2.0 データ転送: Programmed I/O サイズ: 156.5 (L)...
メーカー・取り扱い企業： サンテックス株式会社
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