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52件 - メーカー・取り扱い企業
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10件 - カタログ
159件
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岩通計測機社製 IGBTやMOSFET・トランジスタ・ダイオードなど各…
【特長】 超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。カーブトレーサは、半導体の電流・電圧特性をステップ状に変化させた信号でドライブして、その特性を素早く知ることが出来ます。用途に合...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社マックシステムズ
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短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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光絶縁デジタルIOボード PCI-PGIO
nologies社製 光デバイスを出力13個、光入力5個搭載してます。 ○フォトカプラ絶縁でもノイズを除去出来ない環境下で威力を発揮します。 ○高電圧機器を使った測定、高電圧素子(IGBT、MOSFET、SiC等パワー半導体)の測定用途に最適です。 ○Xilinx製Vertex5を実装しており、10nsec分解能のパターンジェネレータ、高速光通信などの組込も可能です。 ・詳細はカタロ...
メーカー・取り扱い企業: 応用電機株式会社 神奈川事業部(大和工場)
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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コンパクト&高速計測!200V耐圧仕様のパワーデバイステスター(半導体…
【開発評価用途等のカスタム】 ■di/dt耐量 ・MOSFETのボディーダイオードの逆回復動作の破壊試験 ■dv/dt耐量 ・MOSFETに寄生するNPNトランジスタが2次降伏を起こさないかの試験 ■サージ耐量ダイオード ・非繰返しピーク順電流“I...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社日本技術センター
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パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…
【その他の特長】 ■破壊の初期状態を検知し、後工程となる故障解析が容易なサンプルの作製が可能 ■MOSFET、IGBT、SBD、FWDなど、全てのパワー半導体に対応可能 ■同時に16素子までの試験が可能(ただし、試験サンプル・試験条件による) ■試験機を50台保有してるため試験のスケジュール調整が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社クオルテック
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GUIソフトウェアツールも利用可能!オンボード電源とゲートドライブ出力…
本ソリューションは、XMC1400シリーズのマイクロコントローラーに、 MOTIX 6EDL7141三相スマートドライバーICと、クラス最高水準の インフィニオンOptiMOS 6パワーMOSFETを組み合わせたものです。 【特長】 ■台形/ブロック コミュテーションを用いたBLDCモータードライブ ボード ■設定可能なオンボード電源とゲートドライブ出力を装備 ■設定可能な保護...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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樹脂材料を分析し、製品性能に与える特性を評価することが可能!
株式会社アイテスでは、樹脂材料(半導体 LED用途)の分析を行っております。 MOSFET、ICといった半導体製品、LEDパッケージには、エポキシ樹脂や シリコーン樹脂といった 樹脂材料が多く使用されています。 これらの特性は製品の性能に大きく寄与します。当社ではこれらの ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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【SiC・GaN対応】パワーデバイステスター(半導体テスター)
SiC、GaNなど新素材に対応すべく、高耐圧、高速スイッチング用途の計…
当社では、開発評価用途等のカスタムニーズにも対応いたします。 ・di/dt耐量:MOSFETのボディーダイオードの逆回復動作の破壊試験 ・dv/dt耐量:MOSFETに寄生するNPNトランジスタが2次降伏を起こさないかの試験 ・サージ耐量(ダイオード):非繰り返しピーク順電流“IF...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社日本技術センター
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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント
高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM(透過電子顕微…
■コントラストの要因 ■TEM、STEMの使い分け ■超高分解能HAADF観察 <TEMの応用と事例> ■分析事例 ・雰囲気制御&冷却下でのTEM分析 ・SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価 ・微細トランジスタの構造評価 ※小冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 “カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 (ダウンロード...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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直並列の組み合わせが自由自在にできる高性能な試験・評価用電源のNEWモ…
(2000V)、 12並列(2160A)での運転が可能(最大接続台数12台(360kW)) ■ 小型化 / 高効率化 3LEVEL PFC、DAB※2 回路の採用に加えて、自社開発の SiC MOSFET モジュール搭載により19インチラックサイズの ユニットを実現。効率は、93.5%以上(500V、60A出力時) ※2 PFC:Power Factor Correction / DAB:Dua...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社三社電機製作所
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パワーデバイスの特性測定に最適!高速鉄道などで使われるパワーデバイスも…
【特長】 ○超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの 大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 →CS-10800(最大ピーク電圧10kV)(最大ピーク電流8,000A) →CS-10400(最大ピーク電圧10kV)(...
メーカー・取り扱い企業: 岩崎通信機株式会社
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ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』
モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現!
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ...
メーカー・取り扱い企業: イサハヤ電子株式会社
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負荷専用型・高周波誘導加熱電源『IMC-ASH/AFHシリーズ』
分離型の整合部。全ての周波数で97%以上の高いインバーター効率
量産設備に適した電源装置です。 ある程度限定された加熱対象物や加熱コイルの変化を前提とすることで、 小型化・低廉化を達成しました。 低ON抵抗、高速スイッチング特性を有すIGBT/MOSFETモジュール を採用し、全ての周波数で97%以上のインバーター効率を誇ります。 温度制御ユニット搭載、ユーザー制御盤内に電源単体を配置するなど、 多様で便利な使い方が選べます。 【...
メーカー・取り扱い企業: アイメックス株式会社 本社
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最大ピーク電圧15kV、電流8000A! パワーデバイスの特性測定に最…
実現し、高耐圧の測定をカバーする半導体カーブトレーサです。 超大電流を必要とする高速鉄道用インバータや大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パ―ワ―コンディションに使用する IGBT や MOSFET、SiC、GaN を用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 【特徴】 ■最大ピーク電圧15kV、最大ピーク電流8000A(CS-15800) ■4つのコレクタ・サプラ...
メーカー・取り扱い企業: 岩崎通信機株式会社