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52件 - メーカー・取り扱い企業
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10件 - カタログ
159件
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5kWで18kgの軽量・省スペース！直列モデルでは最大1000Vに対応…
『PBWシリーズ』は、変換効率最大92％の回生双方向直流電源です。 パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと 回生技術により、高い変換効率と従来の構成と比較して約80％の圧倒的な 小型・軽量化を実現。 これらにより、限られたスペースで大容量の直流安定化電源として...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクシオ・テクノロジー
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3300Ｖ耐圧のパワーデバイスのブレークダウン測定に最適。
「半導体カーブトレーサ CS-5000シリーズ」は、IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど 各種半導体の特性測定に最適です。 V-Iカーブ観測及び、電圧、電流の印加波形も観測することができます。 測定項目は、最大ピーク電圧:5000V（高電圧モード...
メーカー・取り扱い企業： 岩崎通信機株式会社
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産業機械向け大電力アプリケーションなどに！耐環境性が求められる装置に対…
やMRIなどの 大電力アプリケーション用高周波アンプの先進デバイス駆動電源として 使用でき、より高効率なシステムを実現できます。 また、高耐圧部品にワイドバンドキャップ半導体(SiC-MOSFET)を 採用することで高効率を実現しています。 【特長】 ■ファンレス構造 (伝導冷却タイプ) ■低背型で1.5Uサイズに対応 (高さ65mm) ■ワイド入力 3Φ 180～528V...
メーカー・取り扱い企業： コーセル株式会社
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各種半導体の特性測定に最適
半導体カーブトレーサ 「CS-3100」は、IGBT、MOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定に最適です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社マックシステムズ
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中古計測器:電気計測／絶縁抵抗／信号発生／電力測定:電源
ソレーションされた2チャンネルのソース ・メジャメント ・ユニット(SMU)を持つ、直流電圧/電流源/モニタです。 ・発生/測定とも広い範囲をカバーしており、バイポーラ ・トランジスタ、MOSFET、GaAsFETなどの個別半導体から、各種IC、パワー ・デバイスまでの直流特性測定に最適です。また、測定スピードのアップに加えて2チャンネル同期測定機能により、今まで困難だった正確なタイミン...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社メジャー
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エネルギーエレクトロニクスの評価に柔軟に対応！拡張可能な電力回生の3シ…
『PBWシリーズ・LRWシリーズ』は、電力回生機能により、大電力で小型・軽量、 直列接続で高電圧拡張可能な回生双方向直流電源・回生電子負荷装置です。 パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと回生技術に より、高い変換効率と一般的な構成より約80％の圧倒的な小型・軽量化を実現。 また、全モデル直列・並列接続に対応し、高電圧化・大容量化のすすむ ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社テクシオ・テクノロジー
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8インチウェハ対応タイプ
【特徴】 ○２点からのプローブ方式を用いたC-V、I-V測定器（Ａタイプ） ○３点からのプロービングを可能とし、この複合測定は擬似MOSFET状態を実現し、インシュレータ層の界面トラップ密度など､Top-Si層を除去することなしに測定可能 ○ウェハサイズは１～８インチまで対応し、最大４９サイトまでのマッピング測定が可能 ○TDDB...
メーカー・取り扱い企業： 雄山株式会社 東京支店
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シリーズモーター・コントローラー直巻モーター用1204/1205
カーティスのコントローラーはPWM（パルス幅変調）方式を採用。
電圧をパルス幅で調整し、パワーロスが少ないため、出力部分（MOSFET）の温度上昇も小さく高信頼性・高効率性を実現しています。 電動台車や電動車椅子など小型車両から、フォークリフト、電気自動車など大型のものまで幅広いアプリケーションに適合するよう製品レンジを揃え...
メーカー・取り扱い企業： カーティス・インスツルメンツ・パシフィック株式会社
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ワークの材質・形状に合う製品を提供し、ご希望の測定の実現をサポート！
創業40年、様々な測定に使用されるコンタクトプローブを製作してきました。 パワー半導体用（パワーモジュール、電源制御用IC、パワーMOSFET、整流ダイオード）に対応したコンタクトプローブも提供しております。 ワークの材質・形状・表面処理や、測定条件（電流値・通電サイクル・環境温度・測定速度）などをお伺いした上で、使用条件に適し...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社サンケイエンジニアリング 本社
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デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSF…
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定され...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology
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アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバラ…
トでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型の...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高信頼性・高効率性を実現！カーティスのコントローラーはPWM（パルス幅…
電圧をパルス幅で調整し、パワーロスが少ないため、出力部分（MOSFET）の温度上昇も小さく高信頼性・高効率性を実現しています。 電動台車や電動車椅子など小型車両から、フォークリフト、電気自動車など大型のものまで幅広いアプリケーションに適合するよう製品レンジを揃え...
メーカー・取り扱い企業： カーティス・インスツルメンツ・パシフィック株式会社
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