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30件 - メーカー・取り扱い企業
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10件 - カタログ
160件
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市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！
『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用…
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM
バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応…
「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組…
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、L...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低…
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、Op...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ
双方向のトポロジーに対応！より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…
CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージのCoolSi...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱…
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコン...
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マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続…
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 ...
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OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞
非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプ…
インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリ...
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CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケー...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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Qfが低いため、低負荷時の効率が向上！高品質で要求の厳しいアプリケーシ…
『OptiMOS Pチャネル MOSFET』は、中低電力アプリケーションにおける 設計の複雑さを解消します。 マイクロコントローラーユニット（MCU）とのインターフェースが容易。 コスパの良いパッケージと、先進的で信頼性の...
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SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い…
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on...
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OptiMOS 5 パワーMOSFET TOリードレスパッケージ
高い効率性、優れたEMI特性！OptiMOS 5 パワーMOSFET …
IPT008N06NM5LF(0.8mΩc、60V)とIPT013N08NM5LF(1.3mΩ、80V)は、 いずれも25℃で同クラス最高水準のRDS(on)と広い安全動作領域(SOA)を 実現しています。 TOLLパッケージと組み合わせることにより、ホットスワップ、e-fuse、 テレコムやバッテリー管理システム(BMS)で一般的に見られる保護アプリ ケーションなどの高突入電流アプ...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が…
『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、 ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS） アプリケーションに好適です。 オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。...
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クラス最高レベルの効率を実現するOptiMOS MOSFET！複数の時…
当社の固定周波数AC-DC統合パワーステージの新しい製品ファミリーは、 800Vのブレークダウン電圧と最近追加された950Vのアバランシェ耐圧高電圧 スーパージャンクションMOSFETを統合し、広い入力電圧範囲に対応します。 これらの高集積コントローラーは、DIP-7パッケージに収納され、 フライバックやバックなどの絶縁型および非絶縁型トポロジーをサポートし、 10...
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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)
デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上
ンプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延...
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三相モータードライバーIC！アダプティブMOSFETゲート制御が可能
.0Vと3.3Vの マイコンで動作するように設計。 保護/診断のためのゲイン設定が可能なローサイド電流センスアンプ (CSA)を1つ搭載しています。 【特長】 ■外付けNch MOSFET用の、3つのハーフブリッジゲートドライバ ■設定/可能なウェイクアップソース ■最大25kHzのPWM周波数を持つ6つのPWM入力 ■ノーマルモード、ストップモード、スリープモードでの ...
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高い電力密度化！2chアナログ入力D級オーディオアンプマルチチップモジ…
上の 出力を提供し、実装面積を50％削減したマルチチップモジュールです。 当製品ソリューションは、デュアルチャネルPWMコントローラー、 高電圧ゲートドライバー、および低RDS(ON)MOSFETを4つ集積。 また、様々な環境条件下で信頼性の高い動作を実現するために、クラスDの 保護機能を標準搭載しています。 【特長】 ■インフィニオンの業界最高レベルの低RDS(ON)中...
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「CoolMOS S7」QDPAKおよびTO-220パッケージ
よりコンパクトに、より簡単に設計可能！TCOコストやBOMコストの低減…
「600V CoolMOS S7 SJ MOSFETファミリー」は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と市場で低いRDS(on)を特長として 最適化されています。 RDS(on)×価格メリットの...
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高速COTエンジン搭載OptiMOS IPOL電圧レギュレーター
外部補正なしの容易な設計！優れた効率かつ温度特性により高密度化を実現
、高速COTエンジンを搭載しており、Vout制限を 向上させコンデンサーを節約し、より高いfsw(最大2MHz)を可能にして 集積度を高めています。 インフィニオンOptiMOS 5 MOSFETは、小さなフットプリントでベンチマーク となる効率性を実現。 主電源電圧が3.3Vおよび5V、コア電圧が1V、エアフローなしでTamb≧85℃ といった熱的制約のあるアプリケーションに...
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過熱、低電圧、過電流、短絡に対する保護機能を備えたドライバーICを内蔵…
当社の「MOTIX BTN9970LV ドライバー」をご紹介いたします。 1つのパッケージにpチャンネルのハイサイドMOSFETとnチャンネルの ローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることができます。 ...
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EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)
短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…
クランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【...
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大きな負荷電源電圧の変化に対する優れた耐性！優れたバッテリーリップル除…
イドドライバーICです。 振幅、周波数、波形をプログラム可能なディザジェネレータを内蔵。 システムレベルでASIL Dを実現可能です。 【特長】 ■高い電流制御精度 ■内蔵MOSFETによる4つの独立したローサイドチャネル ■0mAから1.5Aまでプログラム可能なセットポイント ■ディザを含む負荷電流1.8A ■パラレルチャネルモード時の電流2.7A ※詳しくはP...
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EMI発生を低減！100kHz～500kHz、2.2MHzの外部クロッ…
【その他の特長】 ■アナログ調光およびPWM調光機能(内蔵または外付け)により、LEDの平均電流を調整可能 ■内蔵5Vレギュレーターからローサイドの外付けnチャネルスイッチングMOSFETを駆動 ■スペクトラム拡散変調により100kHz～500kHzの柔軟なスイッチング周波数範囲を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
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JEDECの産業用アプリケーションに完全に適合！ブートストラップ設計の…
『EiceDRIVER 2EDN』は、標準/スーパージャンクションMOSFETや ワイドバンドギャップパワースイッチングデバイスの駆動に好適な 高速デュアルチャネル 4A/5Aゲートドライバーです。 アクティブ出力クランプにより、ブートストラップ設計の起動時間を...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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ゲートドライバー「EiceDRIVER 1EDN71x6U」
小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性
「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度...
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200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT、MO…
当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがありま...
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EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…
『FS3L400R10W3S7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHST...
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EMI発生を低減！PMOSを用いたハイサイド負荷遮断で確実な保護を実現
ーラー ■ブースト、バック、バックブースト、SEPIC、フライバックトポロジーにて 定電流、定電圧が設定可能 ■内蔵5Vレギュレーターからローサイドの外付けnチャネル スイッチング MOSFETを駆動 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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