TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーテ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiC半導体評価用試験器

大容量の試験を少ない消費電力で実現！実機搭載状態に近い条件で、波形の確…

当装置はSiC半導体や、SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載 させる事なく、実環境に近い評価試験が可能となる装置です。 実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を 用いて波形の確認が可能となります。 また、回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現。 SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用もできま...

メーカー・取り扱い企業： 東京精電株式会社

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC顕微観察装置『SCM-100』

SiC試料の顕微鏡画像をカメラで撮影、リアルタイムLCD出力

『SCM-100』は、あらかじめプログラムされた電流をSiC試料の トランジスタの内蔵ダイオードに印可する機能を持った SiC顕微観察装置です。 電流印可時に電流が流れない箇所（欠陥）は発光しないため 顕微鏡に取り付けたカメラで撮影して欠陥を見つけることが可能です。 【特長】 ■撮影間隔3秒～24時間で最大撮影枚数999枚、SDカードに保存可能 ■出力電圧・出力電流・ステータ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトサイエンス

【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極低濃度を評価することが可能です。本資料ではSiC中の不純物について従来では評価が困難であった極低濃度領域を超高感度に評価した分析事例をご紹介します。...詳しい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

高温管状炉 SiC棒状発熱体 ガス雰囲気または真空

■　最高温度1500℃ ■　ステンレス圧延板の本体 ■　高品質のフ…

取り揃えられた付属品との構成により、広範な応用範囲へのフレキシブルな適用が実現します。 ■　高品質のファイバー断熱材は短時間での昇温と冷却を可能にします。他方、作業管に平行して取り付けられたSIC棒状発熱体は優れた温度均一化を保証します。この温度域では本機は低価格で抜群の性能を誇ります。 ＜特長＞ ■　最高温度1500℃ ■　ステンレス圧延板の本体 ■　高品質のファイバー断熱 ...

メーカー・取り扱い企業： オガワ精機株式会社

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCインパルス発生器

高周波時代の絶縁試験機に好適！高電圧・高速のSiCインパルス発生器をご…

当社が取り扱う『SiCインパルス発生器』をご紹介します。 インバータモータ巻線などの絶縁試験、ナノプラズマ高繰り返し 放電を用いた表面改質、ソリューションプラズマ(液中プラズマ)を 用いた有害物質の分解などに好適。 10kV出力までをラインアップ予定です。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■定格出力電圧：4kV ■最大出力電流：1A ■出力パル...

メーカー・取り扱い企業： ネクスファイ・テクノロジー株式会社

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

IGBT/SiCデバイス用5000V耐圧/リーク電流測定ソフト

MS-Excel上で動作する簡単操作で、高精度測定

MAX 5,000Vで、IGBTやSiC/GaNデバイスのリーク電流測定や耐電圧試験を行うソフトです。50Vから5000VまでのV-I測定も可能です。...【特徴】 ■Max.5000Vで、IGBT・SiC素子など高耐圧素子のリーク電流を測定します。 ■Max.5000Vで、IGBT・SiC素子の長期にわたる耐電圧試験を行います。 ■電圧のスローアップダウンの機能をサポートしています。 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社システムハウス・サンライズ

【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

SiCパワーMOS FET（図１）において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST