資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社